半导体设备工艺简介.ppt

半导体照明研发中心简介
“中国科学院半导体照明研发中心”，拥有
1500平方米的超净工艺环境；装备方面总体已完成
投入4000余万元，具备从材料制备、芯片工艺、封
装测试完整的研发工艺线。 “中心”组建了强有力
的研发团队,由18位留学回国人员、30余名正高和副
高职称研究员和近30余名工程技术人员组成；并与美、日、德等国建立了国际合作关系，聘请了8位客座研究员。在半导体照明重大装备、材料生长、器件工艺、重大应用等方面与国内外相关研发产业机构建立了良好的关系。
设备名录
设备简介：
厂商：美国ABM公司，
型号：ABM/6/350/NUV/DCCD/M型

工作原理：
将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移到涂有光刻胶的晶片上
用途：
光刻胶的图形化。
技术指标：
nm(波长) 输出光强---约18-20 mW/cm2;
nm(波长) 输出光强---约35-40 mW/cm2;
:4英寸直径;
：
硬接触模式<1微米,软接触<;
接近式（20um）<2微米,接近式（50um）<3微米
工艺特点：
:
±1% 于 2 英寸曝光范围内;
±2% 于 4 英寸曝光范围内;
;
;
（通过CCD直接在显示器上显示）



示例：


设备简介：
厂商：德国PVA-TePla-AG
型号： 310 M
工作原理：
通过微波产生的氧气等离子体对样品表面进行清洁作用或者去除光刻胶掩膜。
用途：
光刻胶或其他有机物的去除。
技术指标：
：石英，直径245mm，深380mm;　　：，，可变功率
工艺特点：
、易于使用、高度活性、高效，且不会对电子装置产生
损害，该系统配备洁净的石英晶体处理室;
、SU8灰化;
。


设备简介：
厂商：坤杰精密自动化设备有限公司 型号： 310 M
用途：
通过化学清洗手段对样品进行表面处理，通常可进行清洗、腐蚀、剥离等工艺。
技术指标：
，配备氮气及纯水清洗系统;
、无机清洁处理；ITO薄膜湿法蚀刻；去蜡清洗；lift-off 工艺；
湿法腐蚀氧化硅等工艺。
工艺特点：
、水浴加热清洗、超声清洗；
，溢注两种模式自由组合;
，反应更均匀

4、感应耦合等离子刻蚀机ICP
设备简介：
厂商：AST
型号 CIRIE-200
工作原理：
在高功率射频电磁场中，刻蚀气体电离，电子在电场的加速下，
与中性分子或原子撞击，产生电子、离子、活性游离基及辉光，即
等离子体。利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发
物，实现刻蚀。
用途：
干法刻蚀GaN和蓝宝石。