-第二学期期末
《模拟电子技术基础》复****题参考答案(部分)
适适用于08级(本)自动化、 电子信息工程
一、 选择填空题
1. 半导体导电载流子是 c , 金属导电载流子是 a
(a.自由电子 c. 自由电子和空穴)
2. 用来制作半导体器件是 b , 它导电能力比 a 强多。
(a.本征半导体 )
3 PN结正向偏置是指P型区接 a 电位, N型区接 b 电位, 这时形成 c 正向电流。
(a.高 c. 较大 )
4. 用万用表测二极管正向电阻, 若用不一样电阻档, 测出电阻值 b 。
(a.相同 )
5. 硅二极管和锗二极管死区电压分别是 c . a
(a. c. )
, 若其导通电压能够忽略, 则可选择 c ; 若导通电阻能够忽略, 则可选择 b 。
( a.折线模型 b. 恒压降模型 c. 理想二极管模型 )
, 要求: 发射结必需 b , 集电结必需 a 。
(a.反向 )
, 假如静态工作点设置过高, 则轻易出现 b 失真。 (a..截止, )
对于NPN三极管, 此时输出波形 b 将出现失真(a..顶部, )。
, 估算静态工作点过程和基础单管共射放大电路 b (a..相同, ); 电压放大倍数AV表示式和基础单管共射放大电路 a (a..相同, );
假如去掉发射极旁路电容CE, 则电压放大倍数Av将 b , 输入电阻Ri将 a
(a..增大, , )
, a ,b 组态有电压放大作用, a c 组态有电流放大作用,
a组态有倒相作用, c 组态带负载能力强, c 组态向信号源索取电流小, 组态频率响应好。 ( a.共射 c. 共集 )
是绝缘栅N沟道增强型, 是 绝缘栅N沟道耗尽型,
绝缘栅P沟道增强型, 绝缘栅P沟道耗尽型。
12. 电流源电路特点是输出电流 c , 直流等效电阻 a , 动态等效电阻 b 。
( a.大 b. 小 c. 恒定 d..不定 )
13. 差分放大电路中, 发射极公共电阻RE关键作用是 c (a.提升输入电阻
放大倍数 c. 提升共模抑制比 ); 对 b (a.共模信号 b. 差模信号)RE可视为交流短路。
14. 差分放大电路由双端输出改为单端输出时, 差模电压放大倍数AV b ,
差模输入电阻 c , 差模输出电阻 b 。
(a.增加一倍 c. 保持不变)
15. 电压负反馈能够稳定 d , 使输出电阻 b ; 电流负反馈能够稳定 c , 使输出电阻 a 。 串联负反馈使输入电阻 a , 并联负反馈使输入电阻 b 。
( a.增大 b. 减小 c. 输出电流 d..输出电压 )
16. 在深度负反馈条件下, 若开环放大倍数A增大一倍, 则闭环放大倍数AF也将 c ;
若反馈系数F增大一倍, 则闭环放大倍数AF将 b
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