空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能蓝光器件.doc

空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能的蓝光器件
空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能的
蓝光器件
第17卷第7期2006年7月
光电字?撒光
Journalofoptoelectronics?
空穴传输层NPB中掺杂Alq3制备高性能的蓝光
器件
王静一,姜文龙,宋瑞丽,刘式墉
(,吉林长春130033;,吉林
四平136000)
摘要:研究了在空穴传输层NPB中掺杂Aiq3制备高性能的蓝光有机电致发光器件(0LED).采用传统
的材料和结构,在空穴传输层NPB中掺杂Alq3,在掺杂浓度为3%时,OIED的色坐标为(,),
亮度为10770cd/m(在13V时),Alq3掺杂降低了开启电压,
,OLED性能的提高是由于NPB的H0M0能级比
Alq3的HOMO能级高,掺杂剂Alq3对空穴有散射作用,阻挡了部分空穴的传输,降低了空穴的迁移
率;而Alq3又是很好的电子传输材料,Alq3掺杂提高了空穴和电子在发光层中的注入平衡,有利于激
子的形成,从而提高了器件的性能.
关键词:有机电致发光器件(OLED);掺杂;蓝光
中图分类号:TN383文献标识码:A文章编号:1005—0086(2006)07—0790—04 UsingdopedAlq3inNPBHoleTransmistionLayerstoProduceHighPerform-
anceBuleOrganicLigheEmittingDevices
WANGJing'一,JIANGWen—long,SONGRui—li,LIUShi—yong
(,JilinUniversity,Changchun130023,China;
lectronicInformationandEngineeringDepartment,JilinNormalUniversity,Siping136000,China)
Abstract:Wehavedesignedahighperformancebuleemissiondevicebyusingthedoped ,we havedesignedthenewstructureofthedevicereasonablyandincreasedtheefficiencyof - nationofthedevicesisverystableat(,).Themaximumelectroluminescenceef. ficiencyis4.