简单NMOS和CMOS器件平面工艺
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复****工艺流程图
晶片准备
平面工艺
封装测试
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硅片的类型标志
P(100)
P(111)
N(111)
N(100)
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微电子制造工艺的主要内容
衬底制备—单晶生长;晶片的切、磨、抛;
薄膜技术—氧化、外延、蒸发;
掺杂技术—扩散、离子注入;
图形加工—制版、光刻(曝光、腐蚀)
热处理——退火、烧结、去除光刻胶
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简单NMOS和CMOS器件平面工艺
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Simple NMOS Technology
N channel
4-mask
1 metal layer
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单晶硅
掩膜版
7
8
Note!
9
10
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