模拟电子技术复习.doc

模拟电子技术复习.doc模拟电子技术复****br/>题型：选择、填空、解答 不要求：chapter 5、9 Chapter 1、2、3分立元件
Chapter 4承上启下
Chapter 6、7、8集成元件
Chapter 10电源（稳压二极管和运放使用）
Chapter 1半导体（本征、杂质（P&N））
电子和空穴浓度的关系
PN结单向导电性——势垒区如何变化
DIODE——PN的封装
PN结伏安特性方程 i = i s （exp （u/ut） -1 ）
DIODE的四种等效模型（理想、恒压、折线、小信 号）
小信号模型中计算RD二Ut/ld （Ut=26mV）
（击穿）
BJT （b、c、e） rbe=rbb,（题知）+ （1+beta） Ut/le
两种类型（npn、pnp）
FET （G、 S、 D） （JFET、 IGFET-MOS）
JFET （N、P沟道）MOS （N、P沟道 增强和耗尽）
Chapter 2三种放大电路(CE CC CB)
（放大的条件——正偏和反偏），截止和饱和的条件
CE CC重点
三步曲：
S1：静态工作点（I BQ\ I CQ\ I EQ\UCEQ, UCEQ>UBEQ,
说明放大）
S2：小信号交流等效图
S3：交流参数
Rd, Au, Ri, Ro
图示法不要求，但是要求掌握两种失真——饱和与 截止（底部和顶部失真）
Chapter 3
多级：对于两级的betal和beta2,总
beta二betal*beta2
复合管：如何判断，类型和T1相同 耦合：直接耦合和阻容耦合各自特点
阻容耦合一一分立元件
直接耦合——IC
直接耦合问题：温漂
克服温漂方法——差分电路（DD\DS\SD\SS）
要求大家计算相应参数
Chapter 4承上启下 分立to集成
电流源（电流镜、