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太阳能电池的技术发展和应用状况调查
太阳能电池技术是一种将光能转化为电能的先进技术，由于太阳能电池发 电具有无污染、资源的普遍性和永不枯竭等特点，符合当今世界的环境保护的 要求以及资源日渐短缺的趋势，所以对太阳能得光电的有效利用成为这些年来 最具活力的研究领域之一。
太阳能电池技术的工作原理就是利用光电材料吸收光能后发生光电转换反 应。目前薄膜太阳能电池主要可分为硅薄膜型、化合物半导体薄膜型和有机薄 膜型。而太阳能的电池采用的材料主要有非晶硅（a-Si）、多晶硅（poly-Si）、铜 铟硒系（CIS、CIGS）和碲化镉（CdTe）、染料敏化Tio2纳米薄膜等。
1、 非晶硅太阳能电池
非晶硅太阳能电池的转换效率为 6%，其生产用电约 ，由它 发电后返回上述能量的时间仅为 -2年。非晶硅材料是由气相淀积形成的，
目前已被普遍采用的方法是等离子增强型化学气相淀积 （PECVD）法。此种制作
工艺可以连续在多个真空淀积室完成，从而实现大批量生产。采用玻璃基板的 非晶硅太阳能电池，其主要工序（PECVD ）与TFT-LCD阵列生产相似，生产 方式均具有自动化程度高、生产效率高的特点。在制造方法方面有电子回旋共 振法、光化学气相沉积法、直流辉光放电法、射频辉光放电法、溅谢法和热丝 法等。特别是射频辉光放电法由于其低温过程 （〜200C），易于实现大面积和大
批量连续生产，现成为国际公认的成熟技术。由于反应温度低，其可在 200 T
左右的温度下制造，因此可以在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上 淀积薄膜，易于大面积化生产，成本较低。单节非晶硅薄膜太阳能电池的 生产成本目前可降到 。叠层非晶硅薄膜电池的成本可降至 1美
元/Wp以下。当太阳能电池工作温度高于标准测试温度 25°C时，其最佳输
出功率会有所下降；非晶硅太阳能电池受温度的影响比晶体硅太阳能电池 要小得多。非晶硅材料的吸收系数在整个可见光范围内，在实际使用中对 低光强光有较好的适应。
2、 多晶硅薄膜太阳能电池
通常的晶体硅太阳能电池是在厚度 350 — 450卩m的高质量硅片上制成
的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更 多。为了节省材料，人们从 70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄 膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获 得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目 前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积
（LPCVD ）和等离子增强化学气相沉积（ PECVD ）工艺。此外，液相外延
法（LPPE ）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。 化学气相
沉积主要是以 SiH2CI2、SiHCI3、Sicl4或SiH4,为反应气体，在一定的保护 气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用 Si、
SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒 ，并且容
易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一
层较薄的非晶硅