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MOS器件简介
2009年11月25日
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目录
工艺简介
工艺流程介绍
工具介绍
版图设计规则
版图设计流程
小结
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工艺简介
现有的IC工艺主要分为两大类，分为模拟工艺和数字工艺。
模拟工艺主要以双极器件为主，它的做法是在晶元上生长外延，在外延上制作双极器件完成电路功能，可以称为BIPOLAR工艺。另外由CMOS工艺也可以制造模拟电路。
数字工艺主要以CMOS器件为主，它的做法是在衬底上直接做出MOS管，和在衬底上扩散出阱，在阱内做出MOS管，完成电路功能。
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工艺简介
随着设计的要求和发展，数模混合电路大量应用，BiCMOS工艺被开发出来并大量应用。BiCMOS工艺顾名思义，这种工艺中既包含Bipolar器件，也包含CMOS器件。常见的BiCMOS工艺一般都基于CMOS工艺，利用CMOS工艺中存在的阱、有源等，寄生出电路所需的的双极管来。
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现有的IC工艺主要分为：
＊ CMOS工艺
＊ BIPOLAR工艺
＊ BICMOS工艺
下面简单介绍CMOS工艺
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层次申明：
注：我们在这里指出各个层次说明是为了更好的对下面的实例进行分析
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CMOS Transistor Introduction
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MOS(Cross section)
The cross section of mos
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Layout
Layout of cmos transistors
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