《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复习.ppt

《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复****br/> 小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，vCE、iB等。
 大写字母、大写下标表示直流量。如，VCE、IC等。
 小写字母、小写下标表示纯交流量。如，vce、ib等。
 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如， 、 等。
书中有关符号的约定
《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复****br/>第一章 绪论
电压放大模型
1. 输入电阻
反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。
输入电压信号， 越大， 越大。
输入电流信号， 越小， 越大。
《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复****br/>2. 输出电阻
决定放大电路带负载能力。
输出电压信号时， 越小（相对 ）， 对 影响越小，
输出电流信号时， 越大（相对 ）， 对 影响越小。
输出电阻的计算：
《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复****br/>3、频率响应
上、下限频率；带宽
频率失真（线性失真）

幅度失真
相位失真
非正弦信号
非线性失真
饱和失真
截止失真
正弦信号
《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复****br/>第三章 二极管及其基本电路
1、理解半导体中有两种载流子
电子
空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，
共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴
2、理解本征半导体和本征激发
本征半导体——化学成分纯净的半导体
本征激发的特点——
两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p）
外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关
导电能力随温度增加显著增加
《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复****br/>N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性
P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性
3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）
少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来，
多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复****br/>4、熟练掌握PN结
形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空
间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。
单向导电性 ——
不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0
加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD
加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的
漂 移运动 形成反向电流
特性方程：iD=IS（eVo/VT-1）
特性曲线 ：
正向导通：死区、导通区
反向截止：截止区、击穿区
《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复****br/>5、理解二极管
单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同
主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、
极间电容、最高工作频率
分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型
导通管的压降看做常值（，）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。
二极管电路的分析计算：
《华中科技大学》模拟电子技术课件模电复****br/>6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区）
反向偏置 且VI＞VZ
稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定
参数：VZ、IZ、PZM、rZ
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