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数字集成电路英文课件:Chapter 7 Transfer Gate and Dynamic Logic Design.ppt


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文档列表 文档介绍
Chapter 7: Transfer Gate and Dynamic Logic Design
Outline
绪论
基本概念
CMOS传输门逻辑
动态D锁存器和D触发器
多米诺逻辑
Digital Integrated Circuits
Faculty of Materials and Energy, GDUT
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绪论-1
静态逻辑门包括传统的CMOS门和伪NMOS门
在伪NMOS门中,为获得较小的VOL,通常PMOS宽长比较小(约为NMOS的1/4),这使得器件上升和下降延时不一致。
使伪NMOS上升、下降延时一致,器件的VOL将上升。
静态逻辑门的所有节点均有到地或者电源端的电阻通路,输出节点值能长期保存(电源打开情况下)。
动态门将节点值存储在某个电容上,该节点与电路其他部分相互隔离;若不周期性刷新,节点值可能会随时间变化,其也更易受到噪声的影响。
节点电压由存储在节点上的电荷保持,且不太稳定=> 动态电路。
Digital Integrated Circuits
Faculty of Materials and Energy, GDUT
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绪论-2
动态逻辑电路:
采用传输门作为开关,通过电路传递信息。
当开关关闭时,输出保持在高阻状态,该门不再驱动输出。此时,先前的值作为电荷保存在输出电容中。
通过额外的时钟信号作用进行正确的操作。
在时钟周期的一部分,所有逻辑门的输出均预充到一个初始值。在周期的另一部分,逻辑门计算正确的输出值。
Digital Integrated Circuits
Faculty of Materials and Energy, GDUT
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基本概念-1 传输门-1
传输门(transfer gate, pass gate):当门处于导通状态时,将一个输入信号保持不变地传递到输出节点;当门关闭时,输出进入高阻态并保持先前的值。
传输门中源、漏节点分别作为输入和输出;栅节点作为输入控制。
Digital Integrated Circuits
Faculty of Materials and Energy, GDUT
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基本概念-2 传输门-2
NMOS:源、漏对称,故源、漏仅能在节点电压分配好之后才能确定。
(a) 栅为VDD时能成功传递0电压,此时输出节点为漏端,且节点能持续放电至电压下降为VDS=0。
(c) 输入节点为VDD,故输入为漏端,电流从输入给输出充电至VDD-VTN。
(e) 栅接地,控制端关闭后,传输门进入高阻态。
Digital Integrated Circuits
Faculty of Materials and Energy, GDUT
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基本概念-3 传输门-3
PMOS:源、漏对称,故源、漏仅能在节点电压分配好之后才能确定。
(b) 栅为0时能成功传递VDD ,此时输出节点为漏端,且节点能持续充电至电压上升为VDS= VDD 。
(d) 输入节点为0,故输入为漏端,电流从输出到输入放电至-VTP。
(e) 栅接VDD ,控制端关闭后,传输门进入高阻态。
Digital Integrated Circuits
Faculty of Materials and Energy, GDUT
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基本概念-4 传输门-4
在传递高电位过程中:
(a)电路具有VDD-VTN的输出;
(b)电路亦具有VDD-VTN的输出;
(c)电路中为保证充电过程中晶体管处于开启状态,电路具有VDD-3VTN的输出。
Digital Integrated Circuits
Faculty of Materials and Energy, GDUT
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基本概念-5 传输门-5
在传递低电位过程中:
(a)电路具有-VTP的输出;
(b)电路亦具有-VTP的输出;
(c)电路中为保证放电过程中晶体管处于开启状态,电路具有-3VTP的输出。
Digital Integrated Circuits
Faculty of Materials and Energy, GDUT
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基本概念-6 电容馈通-1
传输门控制节点的任务是将器件设置为开启或者关闭状态,通常使用时钟信号驱动;理想状态下,输入除使能或禁止传输门外,不应对输出有任何直接影响;但由于栅和输出节点之间存在电容CF,故时钟信号可能馈通到输出。
当时钟信号从VDD转为0时,器件关闭,输出为高阻态。此时CF和Cgnd将与电路其他部分相隔离;随着栅电压的减小,这两个电容的电荷将重新分配以维持平衡。电荷重

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