杨继深 2002 年4月第三章电磁屏蔽技术?屏蔽材料的选择?实际屏蔽体的设计杨继深 2002 年4月电磁屏蔽屏蔽前的场强 E 1屏蔽后的场强 E 2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽, 电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E 1 / E 2 ) dB 杨继深 2002 年4月实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗 A R1 R2 SE = R1 + R2 + A+B = R+ A+B B 杨继深 2002 年4月波阻抗的概念波阻抗电场为主 E ? 1/ r 3 H ? 1 / r 2磁场为主 H ? 1/ r 3 E ? 1/ r 2 平面波 E ? 1/ r H ? 1/ r 377?/ 2?到观测点距离 r E/H ?杨继深 2002 年4月吸收损耗的计算 t 入射电磁波 E 0剩余电磁波 E 1E 1 = E 0e -t/? A = 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB E 0? A = ( t / ? ) dB A = t ? f ? r? r dB 杨继深 2002 年4月趋肤深度举例杨继深 2002 年4月反射损耗 R = 20 lg Z W4 Zs 反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。 Z S = ?10 -7? f ? r/? r 远场: 377 ?近场:取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变杨继深 2002 年4月不同电磁波的反射损耗远场: R = 20 lg 377 4 Zs 4500 Zs = 屏蔽体阻抗, D = 屏蔽体到源的距离( m) f = 电磁波的频率( MHz ) 2 D f D f Zs Zs 电场: R = 20 lg 磁场: R = 20 lgdB 杨继深 2002 年4月影响反射损耗的因素 150 k 1k 10k 100k 1M 10M 100M 平面波 3? 10 8 / 2 ?rf R(dB) r = 30 m 电场 r = 1 m 靠近辐射源 r = 30 m 磁场 r = 1 m 靠近辐射源杨继深 2002 年4月综合屏蔽效能( mm 铝板) 150 250 平面波 k 1k 10k 100k 1M 10M 高频时电磁波种类的影响很小电场波 r = m 磁场波 r = m 屏蔽效能(dB )频率
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