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LED发光二极管
半导体发光器件包罗半导体发光二极管（简称LED）、数码管、标记管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、标记管、米字管及矩阵管中的每个发光单位都是一个发光二极管。
一、 半导体发光二极管事情原理、特性及应用
（一）LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（***化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷***化镓）等半导体制成的，其焦点是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。别的，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部门与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
　
假设发光是在P区中产生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，大概先被发光中心捕捉后，再与空穴复合发光。除了这种发规复合外，另有些电子被非发光中心（这其中心介于导带、介带中间四周）捕捉，尔后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对付非发规复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体质料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体
～。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管本钱、代价很高，使用不普遍。
（二）LED的特性
1．极限参数的意义
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。凌驾此值，LED发热、损坏。
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。凌驾此值可损坏二极管。
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。凌驾此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）事情情况topm:发光二极管可正常事情的情况温度范畴。低于或高于此温度范畴，发光二极管将不能正常事情，效率大大低落。
2．电参数的意义
（1）光谱漫衍和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大要按图2所示。由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。
（2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）偏向上的发光强度。若在该偏向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（标记为cd）。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。
（3）光谱半宽度Δλ:.
（4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的偏向与发光轴向（法向）的夹角。半值角的2倍为视角（或称半功率角）。
图3给出的二只差别型号发光二极管发光强度角漫衍的情况。中垂线（法线）AO的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线偏向上的相对发光强度为1，离开法线偏向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。
（5）正向事