工艺流程与MOS电路图举例PPT学习教案.pptx

会计学
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工艺流程与MOS电路图举例
Source/Drain: Photomask (dark field)
Clear Glass
Chromium
Cross Section
铝栅MOS工艺掩膜版的说明
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Gate: Photomask (dark field)
Clear Glass
Chromium
Cross Section
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Contacts: Photomask (dark field)
Clear Glass
Chromium
Cross Section
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Metal Interconnects: Photomask (light field)
Chromium
Clear Glass
Cross Section
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硅栅硅栅MOS器件工艺的流程Process (1)刻有源区
正胶
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Process (2)刻多晶硅与自对准掺杂
Self-Align Doping
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Process (3)刻接触孔、反刻铝
field oxide (FOX)
metal-poly insulator
thin oxide
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3) 铝栅工艺CMOS反相器版图举例
图2为铝栅CMOS反相器版图示意图。可见，为了防止寄生沟道以及p管、n管的相互影响，采用了保护环或隔离环：对n沟器件用p+环包围起来， p沟器件用n+环隔离开，p+、n+环都以反偏形式接到地和电源上，消除两种沟道间漏电的可能。
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图2 铝栅CMOS反相器版图示意图
版图分解：
刻P阱
2. 刻P+区/保护环
3. 刻n+区/保护带
4. 刻栅、预刻接触孔
5. 刻接触孔
6. 刻Al
7. 刻纯化孔
P+区保护环
n+区/保护带
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