416nm 纳秒脉冲激光对ccd损伤机理研究资料.pdf

第 42 卷 第 3 期 应    用    光    学 Vol. 42 No. 3
2021 年 5 月 Journal of Applied Optics May   2021
 
文章编号：1002-2082 (2021) 03-0534-08
416 nm纳秒脉冲激光对CCD损伤机理研究
欧　渊1，石根柱1，李点点1，吕　勇2，牛春晖2
（1. 军事科学院 系统工程研究院，北京 100081；2. 北京信息科技大学 仪器科学与光电工程学院，北京 100192）
摘 要：开展了416 nm纳秒脉冲激光对CCD的损伤实验，观察到了CCD从点损伤到线损伤，再到
面损伤的过程，并计算出了点损伤、 mJ/cm2～
 mJ/cm2、 mJ/cm2～ mJ/ mJ/cm2；通过对不同损伤状态CCD的损伤点表面显
微图像的分析，以及不同损伤状态对应的CCD各电极之间电阻值的测量，得出不同损伤状态主要
由二氧化硅绝缘层材料相变引起电阻值改变所产生；COMSOL软件仿真显示CCD各层最先产生
熔融的是二氧化硅绝缘层，能量密度为420 mJ/cm2，与实验结果相接近。实验结果证明了CCD损
伤机理分析方法的正确性。
关键词：电荷耦合器件；光电对抗；损伤能量密度阈值；材料相变
中图分类号：TN249　　　　 文献标志码：A　　　　 DOI：
Research on damage mechanism of 416 nm nanosecond pulsed laser to CCD
OU Yuan1，SHI Genzhu1，LI Diandian1，LYU Yong2，NIU Chunhui2
（1. Institute of Systems Engineering, Academy of Military Sciences, Beijing 100081, China；2. School of Instrumental
Science and Photoelectric Engineering, Beijing Information Science and  Technology University, Beijing 100192, China）
Abstract：The damage experiment of 416 nm nanosecond pulsed laser to charge-coupled device (CCD) was carried
out. The proces