基于金刚石薄膜的结型器件与性能研究硕士论文.pdf

璽篢‘
导师签名:王量签名:周免签名:月免日期:。沙,&‘,日期:句拄关于论文使用和授权的说明独创性声明及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加咀标注和致谢的地方本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研宄工作外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得西南科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材科。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明井表示了谢意。本人完全了解西南科技大学有关保留、使用学位论文的规定,即学校有权保留学位论文的复印件,允许该论文被查阅和借阅:学校可公布该论文的全部或部分内容,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。C艿难宦畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑
要摘西南科技大学硕士研究生学位论文第金刚石薄膜具有优异的电学、光学、热学、机械性能和化学稳定性,同时耐高温、、高温、大功率以及强辐射等苛刻环境下工作的首选半导体材料。本文以辐射伏特效应同位素电池换能单元为应用背景,。。国内首披以此为基础,根据辐射伏特效成电池理论并结合金刚石薄膜半导体村料特点,设计了基于徒鸶帐さ牟嬷缸葱ぬ鼗骷峁埂通过标准的光刘、电子柬蒸镀等微加工手段制作肖特基结型器件,并对微型器件进行切割、引线和封装。。实验中着重研究了掺硼浓度对金刚石薄膜物相组成、织构形貌、导电性能的影响;探索了基于多晶金刚石薄膜肖特基的制作工艺,井研究了掺硼浓度、薄膜厚度对金刚石薄膜肖特基整流特性的影响,并最终获得了具有整流特性的金刚石薄膜肖特基器件。研究结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,金刚石薄膜导电性增强。晶粒尺寸减小,表面平整度变差;当甲烷浓度为ァ⒉襞鹋ǘ任N时,。关键词:金刚石薄膜化学气相沉积肖特基势垒ü
西南科技大学硕士研究生学位论文第页畉縤⋯.十,,瑃猟.。,甤畇
西南科技大学硕士研究生学位论文第页—】:⋯皃篵猟篿畆.
目录西南科技大学硕士研究生学位论文第页绪论金刚石的结构、性质和运用鸶帐∧ぱ芯肯肿鸶帐∧し⒄鸶帐∧どせ鸶帐∧ぶ聘鞣椒鸶帐∧げ粼友芯鸶帐∧さ腘型掺杂鸶帐∧さ腜型掺杂浞匦вν凰氐绯同位素电池的应用背景氐绯氐姆掷浞匦вΥ辶系囊G秃懈帐∧ぬ氐徒鸶帐ぬ鼗浞匦вν凰氐绯氐墓ぷ髟金刚石电子器件的研究现状金刚石薄膜器件的研究基于金刚石材料结型的器件的研宄金刚石肖特基二极管的发展及其研宄鸶帐骷惴菏褂煤头⒄沟氖芟拊芯磕康暮鸵庖襞鸾鸶帐∧さ闹票负捅碚微波等离子体气相沉积ǖ脑砑吧璞附樯鸶帐∧さ纳不同掺杂量金刚石薄膜的生长煌穸冉鸶帐∧さ纳鸶帐∧さ谋碚湎哐苌浞治觥禭碚
金属与金刚石肖特基接触和歇姆接触设计西南科技大学硕士研究生学位论文第碚奶秸氲缱杪什馐金属与半导体功函数哟ナ评肖特基接触和欧姆接触肖特基接触金属的选择。鸶帐纺方哟欧姆接触电极材料的选择纺方哟サ姆椒缂ń峁矫嫘徒峁剐ぬ鼗评莸缂ń峁沟纳杓器件结构的设计肖特基辐射伏特器件的优化电极的加工制作金刚石薄膜表面处理庵斩吮砻踔斩吮砻砻娲砗徒峁电极制作工艺流程图缂谱娓鸾前烘饪獭⑵毓杂崮高固舳平鹗嘶觳榈缂夹
第骷姆庾昂筒馐“葩“西南科技大学硕士研究生学位论文微型器件的切割缂叩慕映骷姆庾坝氩馐结论展望参考文献”
璝㈨所有电子都参与了绪论⋯金刚石的结构、性质和运用成键,晶体中没有自由电子【,组成四面体的排布。碳原子的排列具有高度的对称性,一个碳原子位于正四面体的中心,另外四个位于正四面体的顶角四面体的每个顶角都为相邻的四个四面体所共有。金刚石结构是个复式格子,是由两个面心立方的点阵沿其空间对角线位移的长度套构而成,品体结构如图籰所示。每个品包内有鲈樱逯械狢键以共价键相连,配位数为始薪。’.,很早就被认为是电子工业界最有希望的新一代半导体材料。但一般的金刚石都为电绝缘的。年证实了天然存在偷陌导体金刚石一“蓝金刚石”⋯。,一般将将硅、锗等元素为代表半导体称为第一代半导体材料:以***化镓、磷化铟、磷化镓⒌然合物为代表的半导体材料称为第二代半导体材料:以氮化铝碳化硅⒙然、氧化锌⒔鸶帐4淼目斫图金刚石晶体结构
鸶帐∧ぱ芯肯肿鸸