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元器件发展 X页.doc表面贴装电子元件发展综述
型表面贴装电子元器件在技术进步、片式化率、品种规格、生产规模等方面都有长足的进步。本文将介绍一些表面贴装电子元件方面的贴装方法和进展
法分类第一类TYPE IA只有表面贴装的单面装配工序：丝印锡膏= > 贴装元件= > 回流焊接TYPE IB只有表面贴装的双面装配工序：丝印锡膏= > 贴装员 F= >贴装元件= > 回流焊接第二类TYPE 11釆用表面贴装元件和穿孔元件混合的单面或双面装配工序：丝印锡膏(顶面)= > 贴装元件= > 回流焊接= > 反西 烘干胶= > 反面= > 插元件= > 波峰焊接第三类TYPE 111顶面采用穿孔元件，底面釆用表面贴装元件工序：滴(印)胶= > 贴装元件= > 烘干胶= > 反面= > 扌
—.、表面贴装电子元件进展状况
电阻器/电位器
近年来，片式电阻器向着大功率、高精度、小尺寸、网络化方向发展，目前其主流尺寸为1005,更小的0603( )也已占到一定的份卷 圆柱形表面贴装电阻器的尺寸已缩小到<t>
Y省PCB面积，片式电阻阵列受到欢迎， m m的封装内并列四个1 005片阻； X1,2mm的封装内并列四个060 电位器已发展到2型， ,5mm,重量仅为20mg。
2、电容器
叠层陶瓷片式电容器MLCC
I迅速，在小尺寸、大容量、高耐压、高频等方面均取得许多进展。1005已成为主流尺寸，0603也已大批量生产。日本村田公司开发的GRP03系列, 養达10000pF, 1005型的容量可达pF级。美国Vishay推出的Cer-F系列MLCC的高频特性可以与薄膜电容器相媲美，在高频段某些应用中可以替 【金属耙，国外各主要生产厂家都已开始采用贱金属(Ni、Cu)作为内电极制作所谓的BME-MIcc,已占到总量的90%以上，大大降低了成本，成为当今 争的热点，
三端片式穿心电容器及阵列
妆子的EMI对策元件，为了满足SMT的要求，近年来大量生产片式穿心电容器系列及阵列产品。(mm)封装内并列四个穿心电容器，
至22000pF,抑制噪声范围从5MHz至2GHz。
片式钮电解电容器
这种片式元件是当前比较紧俏的产品，促使其加快了发展速度。(mm),容量达到470 u F,耐压50V。
片式铝电解电容器
J为电解质的铝电解电容器，性能优良，耐高压，耐高温，可承受波峰焊和再流焊，电容量大，等效串联电阻低。立式结构最小尺寸为02mmX3mm；
,5(mm)o
片式薄膜电容器
电容量大、阻抗低、寄生电感小、损耗低等诸多优点。但将它片式化并能满足SMT的要求，遇到了耐热冲击和缩小封装尺寸等难题。近年来，一些国夕 和PEN有机薄膜和精细封装工艺，做出了完全满足SMT要求的片式有机薄膜电容器系列，(mm)时， pF,耐焊接
片式可调电容器
最近村田公司推岀的TZVY2系列，(mm),〜45pF,设计独特，没有塑料只有陶瓷和金属，耐焊接热性能女
3、电感器/磁珠
叠层型片式电感器MLCI