模电总结复习-模拟电子技术基础.docx

模电复****资料
第一章 　半导体二极管
一．半导体的基础知识
---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Gｅ)。
2．特性---光敏、热敏和掺杂特性。
３．本征半导体---－纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子　----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5．杂质半导体－－－-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
　＊P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴，少子是电子）。
　 *N型半导体:　 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴）。
６.　杂质半导体的特性
*载流子的浓度－--多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
　*体电阻--－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
＊转型-－－通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PＮ结
　 ＊　ＰＮ结的接触电位差-－－~0．8V,~。
　 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
　８． PＮ结的伏安特性
二． 半导体二极管
　*单向导电性-－－--－正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性--－-同PＮ结。　
＊正向导通压降－-－－－-～,锗管0．２~。
　 　*死区电压-－－－--，锗管0．1Ｖ。
－－---－将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若 V阳　>V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);
若 V阳　＜V阴(　反偏　）,二极管截止（开路)。
1)图解分析法　
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Ｑ。
2)　 等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段-－--将二极管断开,分析二极管两端电位的高低：
　　 若 V阳 ＞V阴( 正偏 ),二极管导通（短路）;
　 若 V阳　<V阴( 反偏 ），二极管截止(开路)。
　*三种模型
微变等效电路法
　 　　 　　 　 　
稳压二极管及其稳压电路
＊稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章　　三极管及其基本放大电路
一. 三极管的结构、类型及特点
---分为NＰN和ＰNＰ两种。
－--基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触
　　 　 面积较小;集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。　
二． 三极管的工作原理
1. 三极管的三种基本组态
2. 三极管内各极电流的分配
　 　
* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件
　
式子 　 称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线
(饱和管压降,用UＣＥS表示
放大区－--发射结正偏,集电结反偏。
截止区－－-发射结反偏,集电结反偏。
４.　温度影响
温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高ＩCＢO、 ICEO 、 IC以及β均增加。
三.　　低频小信号等效模型(简化)
hｉe--－输出端交流短路时的输入电阻,
　　 常用rbe表示；
ｈfｅ--－输出端交流短路时的正向电流传输比,
常用β表示;
四. 基本放大电路组成及其原则
1. VＴ、 ＶCC、　Ｒb、 Rc　、C1、C2的作用。
----能放大、不失真、能传输。
五．　放大电路的图解分析法
１.　直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
　 　　*画法--－电容视为开路。
*作用--－确定静态工作点
　 　 *直流负载线---由ＶＣC=ICRC+UCE　确定的直线。
＊电路参数对静态工作点的影响
1）改变Rｂ :Q点将沿直流负载线上下移动。
　２)改变Ｒｃ :Ｑ点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
　3）改变VCC:直流负载线平移，Q点发生移动。　
２. 交流通路与动态分析
*概念－-－交流电流流通的回路
＊画法－－-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
＊交流负载线－-- 连接Q点和V　CC’点　V　ＣC’= UＣEQ＋ICQR Ｌ’的 　
　 直线。
３.　静态工作点与非线性失真
(1)截止失真
＊产生原因－--Ｑ点设置过低
＊失真现象-－-ＮPN管削