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材料表征手段之一:正电子湮没的应用技术.ppt


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文档列表 文档介绍
材料表征手段之一:正电子湮没的应用技术
材料中的杂质和缺陷能级
主要影响(光学、电学、磁学)
原因:周期性势场受到破坏、在禁带中进入新的能级
杂质分类:
缺陷分类:点缺陷、线缺陷、面缺陷
占据位置:间隙式、替代式
导电性质:施主、受主
点缺陷
弗仑克尔缺陷:一定温度下,格点原子在平衡位置附近振动,其中某些原子能够获得较大的热运动能量,克服周围原子化学键束缚而挤入晶体原子间的空隙位置,形成间隙原子,原先所处的位置相应成为空位。这种间隙原子和空位成对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。
肖特基缺陷:由于原子挤入间隙位置需要较大的能量,所以常常是表面附近的原子A和B依靠热运动能量运动到外面新的一层格点位置上,而A和B处的空位由晶体内部原子逐次填充,从而在晶体内部形成空位,而表面则产生新原子层,结果是晶体内部产生空位但没有间隙原子,这种缺陷称为肖特基缺陷。
结构、光学、
电学性能
缺陷
电子顺磁共振
卢瑟福背散射
透射电子显微镜
深能级顺发谱
霍尔效应
光致发光谱
正电子湮没谱
内 容 提 要:
一: 正电子湮没谱技术
二: 研究结果
寿命谱技术
慢正电子湮没技术
多普勒展宽技术

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  • 时间2021-09-18