模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案.doc

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1半导体二极管
自我检测题
一．选择和填空
1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。
2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。
（A．大于，B．小于，C．等于）
3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。
（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）
4. 当PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。
（A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变 ）
5．二极管实际就是一个PN结，PN结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于
导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。
6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A．～，B．～，C．小于，D．大于）
7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 伏，反向击穿电压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T1 小于 25℃。（大于、小于、等于）
图选择题7
8．PN结的特性方程是。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ）
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2．在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。 （ √ ）
3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ × ）
4．PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 （ √ ）
5．由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（ × ）
6．PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。（ × ）
7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。，，忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相应的输出电压波形。

解：
（a）图中，vi>0时，二极管截止，vo=0；vi<0时，二极管导通，vo= vi。
（b）图中，二极管导通，vo= vi +10。
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（c）图中，二极管截止，vo=0。
。。