模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白.doc

整理文档
页脚下载后可删除，如有侵权请告知删除！
整理文档
模拟电子技术基础
第四版
清华大学电子学教研组 编
童诗白 华成英 主编
自测题与****题解答
山东大学物理与微电子学院
整理文档
页脚下载后可删除，如有侵权请告知删除！
整理文档
目录
第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3
第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14
第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31
第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41
第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50
第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60
第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74
第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90
第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114
第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
整理文档
页脚下载后可删除，如有侵权请告知删除！
整理文档
第1章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )
(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )
(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。( √ )
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )
二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
、后者也反偏 、后者反偏 、后者也正偏
(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
管 管
三、 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=。


解：UO1=, UO2=0V, UO3=-, UO4=2V, UO5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。 所示电路中
整理文档
页脚下载后可删除，如有侵权请告知删除！
整理文档
UO1和UO2各为多少伏。
(a) (b)

解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。
五、，VCC=15V，b=100，UBE=。
试问：
(1)Rb=50kW时，Uo=?
(2)若T临界饱和，则Rb=?
解：(1)，
,
。
(2)∵，
∴
六、测得某放大电路中三个MOS 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。

管号
UGS(th)/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
-5
1
3
恒流区
T2
-4
3
3
10
截止区
T3
-4
6
0
5
可变电阻区
解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，。
整理文档
页脚下载后可删除，如有侵权请告知删除！
整理文档。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

(3)工作在放大