硅微通道板化学机械抛光及氧化绝缘技术研究.pdf

分类号： 密 级： 可公开
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硅微通道板化学机械抛光及氧化绝缘技术
研究
Research on Chemical Mechanical Polishing and Oxidation
Insulation Technology for Silicon Microchannel Plate







学位授予单位及代码：长春理工大学 （10186）
学科专业名称及代码：物理电子学 （077401）
研 究 方 向：光电成像器件与技术 申请学位级别：硕 士
指 导 教 师：端木庆铎 教授 研 究 生：吴柯鑫
论文起止时间：—
长春理工大学硕士学位论文原创性声明


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识到本声明的法律结果由本人承担。



作者签名： 年 月 日



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作者签名： 年 月 日

导师签名： 年 月 日
摘 要
近年来基于硅材料制作先进微通道板成为国内外各研究热点，其高深宽比、高增
益低噪声、高分辨、低功耗等特点被广泛应用在高灵敏离子探测器、高灵敏传感器、X
射线增强及微光夜视成像等领域中。目前，国内还没有相关研究机构完成硅微通道板
电子倍增器的研制。本文通过实验研究对硅微通道板制备工艺环节中的化学机械抛光
和氧化绝缘技术进行优化改进，其主要包括以下几方面：
（1）利用真空填蜡的方法完善了微通道结构化学机械抛光工艺问题，通过实验研
究优化工艺，并完成了硅微通道板双面 CMP 工艺技术。
（2）研究 Si-MCP 热氧化实验，优化了器件厚层氧化制备条件，并采用该条件制
备出击穿电压在 1000V 以上硅微通道板基体器件样品。
（3）提出用高温整形方法来解决 Si-MCP 翘曲问题。并利用该方法使形变后的
Φ16mm-Si-MCP 试验样品恢复平整。

关键字：硅微通道板(Si-MCP) 化学机械抛光(CMP) 厚层氧化 击穿电压 高温整形




I
ABSTRACT
In recent years based on silicon micro