模拟电子技术基础模拟综合试卷12附答案.doc

模拟电子技术基础模拟综合试卷12附答案
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模拟电子技术基础模拟综合试卷12附答案
模拟综合试卷１２答案
一、填空(24分，每空１分)
，分别为 电子和　空穴 .杂质半导体分为两种,分别为 N型半导体　和　P型半导体 ．
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 　发射结正偏，集电结反偏 　.
，集成运放由　输入级 、中间级 、　输出级 、偏置电路　这几个部分组成．
,上限角频率,则带宽为(—)/2π 　Hz。
5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 交流电阻大　的特点以获得较高增益。
，当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 3　才能起振.
7．电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的输出状态发生 1　 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 1　 　次跃变。
8、乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真　，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器.
９、负反馈系统产生自激的条件是 ,相应的振幅条件是,相位条件是。
10、若三级放大电路中ＡＵ1=AU2＝３0dB,AＵ３＝２0dＢ，则其总电压增益为 ８0　dＢ，折合为　10４ 倍。
11、差分放大电路，若两个输入信号uI1＝uI2,则输出电压,uO＝ 　0 mV;若u I1=100mＶ,ｕ　I ２＝８0mV则差模输入电压ｕId=　 20 mV；共模输入电压uＩc＝　 ９0 mV。
二、按要求选其中正确的一项填入括号（２6分,每小题2分)
,二极管的反向饱和电流Ｉｓ将增大,是因为此时PＮ结内部的。(　B)
Ａ 多数载流子浓度增大 　 Ｂ少数载流子浓度增大
C多数载流子浓度减小　 　　 　 D少数载流子浓度减小
2、晶体三极管的各极电流是由（　C )形成的。
Ａ、多数载流子　　 Ｂ、少数载流子 C、两种载流子 　D、热运动
3、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定,可以加入下列负反馈：（ B )
Ａ、电流串联 B、电压串联 　 C、电流并联 D、电压并联
４、在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为1２Ｖ,，3V，则它是( A ）。
Ａ．NPN 型硅管　 B。ＮPN　型锗管　 C。ＰNP 型硅管 　 　 型锗管
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5．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成，即ＲC串并联选频网络和(　 Ｄ 　）。
A、基本共射放大电路　 B、基本共集放大电路
C、反相比例运算电路　 　 　 D、同相比例运算电路
6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（　 C ）。　
A　电阻阻值有误差　 　 　 B 晶体管参数的分散性　　
Ｃ 晶体管参数受温度影响 　　D 受输入信号变化的影响
7、 某只硅稳压管的稳定电压Vｚ　＝ 4v,其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置)和－5v(反向偏置)时，稳压管