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LED CHIP IQC检验规范
CHIP FQC检验规范。
,以确保产品质量达一定水平
范围
本公司生产之所有LED产品均属之。
内容
光电性检验
外观检验
数值标示检验。
(片数定义:芯片片数)
依「产品检验抽样计划」(WI-20-0101)抽片执行检验。
光电特性检验(Vfh、Vfl、|v)
抽样位置:分页片边缘4颗,分页片内围6颗,均匀取样。
抽样数量:每片10颗。
每片抽样数,每一颗不良,则列一个缺点。
外观检验
PS TYPE不良晶粒〉2ea/ shee,列入一个缺点。
NS TYPE或PS TYPE分页面积最长距离V cm者,不良晶粒〉
5ea/sheet,且〉10 ea/wafer 列入一个缺点。
缺点项目之限样标准由制造、FQC两单位共同制作,作为人员检验之依据
主要缺点代字:MA (Major )。
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次要缺点代字:Ml (Minor )。
本公司产品目录规格书
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342 研发工程产品测试分类规格
343 其它相关之质量文件
光电特性检验
,须低于规格上限。
GaP、GaAsP、AIGaAs产品T/S前测站
作业指导书。
:MA
依特定之额定电流点测,须高于规格下限,低于上限。
规格:GaP三 , GaAsP三 , AIGaAs ( 三 Vfl 三 ), IR
(~ V)。
缺点等级:Ml
亮度 Iv / Po
,须高于规格下限。
规格下限应参考测试分类规格及各产品 T/S前测站作业指导书判定。
缺点等级:MA
外观检验(共同标准)
检验项目
说 明
图 示
缺点等级
2 mil
UR同一芯片晶粒厚度差三 3 mil
□匸
MA
,不得有任何异常 (不含刮伤)
电极
VVR/3
MA
、铝泡(金泡)、非化学药水污染(沾胶 、杂物、硅胶粒、Ink…)、重工造成之金属残印子 (如残钛)面积应三1/5原电极面积。
MA
PS应三1/5原电极面积
材质:AlGaInP适用
MA
:©V
O
MA
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