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元件工技师考试试卷[精编].doc


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元件工技师考试试卷[精编].doc中国南车股份有限公司
2010年元件工技师理论知识考试试卷(A)
一、填空题(请将正确答案填在横线空白处,每空1分,共20分)
在本征半导体中掺入铝或镣可以形成上一型半导体,掺入磷则可以形成任-型半导体。
半导体材料的分类方法有很多,按照化学组分,可分为元素半导体和化合物半导体。
V族元素在硅中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心,称它们为 施主杂质 ;III 族元素在硅中电离时,能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心,称它们为 受主杂质 。
4单位体积中含有的杂质原子数称为 杂质浓度,而杂质在一定温度下能溶入固体硅中最大的杂质浓度称为— 固溶度 。
Ge的禁带宽度是 , Si的禁带宽度是1. 12eV 。
PN结体内扩散电流的数学表达式是jd=q(n/T)驾,PN结雪崩击穿电压与电阻率的关系表达式是__^遂 Pn0-75 o
将p-n结边缘磨一个斜角,可以降低表面电场。磨角的方向由高浓度层磨向低浓度层,低浓度层磨得多,称为
V—;磨角的方向由低浓度层磨向高浓度层,高浓度层磨得多,称为 负斜角 。
关断时间与基区的少子寿命成正比。
衡量气体压强的单位通常有Torr、Pa、bar等,1 Torr- Pa= ° bar。
晶闸管可以看作由_2__个三极管构成、导通条件为 电+电 o
在&S0冲,元素S的化合价为+6 价。
二、选择题(请将正确答案的代号填入括号内,每题1分,共15题15分)
晶闸管阴极面上设置短路点是为了提高元件的(B )o
- (B)— (C)开通时间
dt dt
元件V&参数测试时与(C)无关。
温度 (B)门极 (C)电压
( C )
以下哪种描述是错误的。
门极触发可以使晶闸管开通;
过电压可以使晶闸管开通
(0 di/dt可以使晶闸管开通
( A )
封装管芯时,管壳内应充氮气做为保护气体。氮气的压力应:
小于大气压
等于大气压
大于大气压
( A )
铝、镣、硼三种杂质源在硅中扩散系数最大的是:
(A)铝 (B)镣。硼
( A )
pH值为6的溶液是 溶液。
(A)酸性 (B)中性 (C)碱性
( A )
在生成Si02的过程中需要通入和O2和艮0,艮0的作用是
提高氧化速度;
降低氧化速度:
与氧化速度无关
( A )
Si02膜:。
对某些杂质有掩蔽能力;
对所有杂质有掩蔽能力
对杂质无掩蔽能力
( A )
不对硅片沾润质量产生影响的因素是。
(A)硅片厚度 (B)真空度 (C)烧结温度
( C )
经过一定剂量的电子辐照后晶闸管门极电流如何变化?
(A)减小 (B)基本不变 (C)增大
三、判断题(正确的请在括号内打〃"〃,错误的打〃 X 〃,每题1分,共15题15分)
只要在阴极和阳极加上电压,晶闸管就可以导通。 (X)
在电场作用下,空穴移动方向与电子移动方向是相同的。 (X )
晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受一定正向电压的情况下晶闸管才导通。 ()
PN结的雪崩击穿电压与温度无关。 (X )
硅原子结构最外层有4个电子。 ()
半导体器件的电学性能不受温度影响。 (X )
逆变就是把直流电变成交流电。 ()

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  • 上传人小雄
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  • 时间2021-11-26