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模电复****资料
第一章 半导体二极管
---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
---光敏、热敏和掺杂特性。
----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---~,~。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------~,~。
*死区电压------,。
------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型
微变等效电路法
稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章 三极管及其基本放大电路
一. 三极管的结构、类型及特点
---分为NPN和PNP两种。
---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触
面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
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二. 三极管的工作原理
1. 三极管的三种基本组态
2. 三极管内各极电流的分配
* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件
式子 称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线
(饱和管压降,用UCES表示
放大区---发射结正偏,集电结反偏。
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
4. 温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
温度升高IC
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