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VCSEL基本简介
垂直腔表面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即VCSEL) 区别于边发射激光器沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射，而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面，如下图：
边发射激光器（a）
面发射激光器(b)
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VCSEL基本简介-基本构成
1977 年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出 VCSEL 的概念，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射。典型的 VCSEL 为顶发射结构。结构示意图如下图 所示
VCSEL的结构示意图
（顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR）
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VCSEL的制作总工艺过程
工艺过程总流程图
侧向选择氧化制备工艺流程图
第三页，共14页。
VCSEL的制作总工艺过程
工艺制备图
侧向选择氧化制备工艺流程图
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外延材料制备
MOCVD
侧向选择氧化制备工艺流程图
n-DBR
GaAs substrate
active
P-DBR
P-ring contact
第五页，共14页。
VCSEL的制作芯片工艺与关键设备
芯片流片
芯片流片过程
第六页，共14页。
外延材料制备
沉积SiO2
侧向选择氧化制备工艺流程图
n-DBR
GaAs substrate
P-ring contact
沉积SiO2
第七页，共14页。
外延材料制备
光刻+腐蚀 做SiO2掩膜
侧向选择氧化制备工艺流程图
n-DBR
GaAs substrate
P-DBR
P-ring contact
第八页，共14页。
外延材料制备
台面腐蚀
侧向选择氧化制备工艺流程图
n-DBR
GaAs substrate
active
P-DBR
P-ring contact
第九页，共14页。
外延材料制备
去掩膜
侧向选择氧化制备工艺流程图
n-DBR
GaAs substrate
active
P-DBR
P-ring contact
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