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NANDflash和NORflash的区别详解
NANDflash和NORflash的区别详解
NANDflash和NORflash的区别详解
NAND flash 和 NOR flash 的区别详解
ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器， ROM 是 Read Only Memory 的缩写，
RAM 是 Random Access Memory 的缩写。 ROM 在系统停止供电的时候仍然
可以保持数据，而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的 RAM 就是计
算机的内存。
RAM 有两大类，一种称为静态 RAM （ Static RAM/SRAM ），SRAM 速度非常
快，是目前读写最快的存储设备了， 但是它也非常昂贵， 所以只在要求很苛刻的
地方使用，譬如 CPU 的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态 RAM （Dynamic
RAM/DRAM ）， DRAM 保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还
是比任何的 ROM 都要快，但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多，计
算机内存就是 DRAM 的。
DRAM 分为很多种，常见的主要有 FPRAM/FastPage 、 EDORAM 、SDRAM 、
DDR RAM 、RDRAM 、SGRAM 以及 WRAM 等，这里介绍其中的一种 DDR
RAM 。
DDRRAM （ Date-Rate RAM ）也称作 DDR SDRAM ，这种改进型的 RAM 和
SDRAM 是基本一样的， 不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据， 这样就
使得数据传输速度加倍了。 这是目前电脑中用得最多的内存， 而且它有着成本优
势，事实上击败了 Intel 的另外一种内存标准－ Rambus DRAM 。在很多高端的
显卡上，也配备了高速 DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高 3D 加速卡
的像素渲染能力。
内存工作原理：
精选
NANDflash和NORflash的区别详解
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内存是用来存放当前正在使用的 （即执行中） 的数据和程序， 我们平常所提到的
计算机的内存指的是动态内存（即 DRAM ），动态内存中所谓的 " 动态 "，指的
是当我们将数据写入 DRAM 后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额
外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的： 一个 DRAM 的存储单元存储的是 0 还是 1 取决于电
容是否有电荷，有电荷代表 1 ，无电荷代表 0。但时间一长，代表 1 的电容会放
电，代表 0 的电容会吸收电荷， 这就是数据丢失的原因； 刷新操作定期对电容进
行检查，若电量大于满电量的 1／ 2，则认为其代表 1，并把电容充满电；若电
量小于 1／ 2，则认为其代表 0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
ROM 也有很多种， PROM 是可编程的 ROM ，PROM 和 EPROM （可擦除可编
程 ROM ）两者区别是， PROM 是一次性的， 也就是软件灌入后， 就无法修改了，这种是早期的产品， 现在已经不可能使用了， 而 EPROM 是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种 EEPROM 是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
举个例子，手机软件一般放在 EEPROM 中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在 SRAM 中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在 EEPROM 中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍
的。
FLASH 存储器又称闪存，它结合了 ROM 和 RAM 的长处，不仅具备电子可擦
除可编程（ EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据
NVRAM 的优势）， U 盘和 MP3 里用的就是这种存储器。在过去的 20 年里，嵌入式系统一直使用 ROM （ EPROM ）作为它们的存储设备，然而近年来 Flash
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