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74HC573中文资料.doc


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74HC573中文资料.dochttp //wwv elecfans ccm
http //wwv elecfans ccm
74HC573
八进制3态非反转透明锁存器
74HC573
高性能硅门CMOS器件
SL74HC573跟LS/AL573的管脚一样。器件的输入是和标准CMOS输出兼容 的:加上拉电阻,他们能和LS/ALSTTL输岀兼容。
当锁存使能端为高时,这些器件的锁存对于数据是透明的(也就是说输出同 步)o当锁存使能变低时,符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
X输出能直接接到CMOS, NMOS和TTL接口上
X操作电压范围:〜
X低输入电流:1 .OuA
XCMOS器件的髙噪声抵抗特性
管腿安排:
】Ver ](Mi
5
1
1 05
]o
1 Q7
i LATCH
grrnn

nn
m
D2
DJ
□4
rw
D6
D7
CXD
功能表:
输入
输出
输出使能
锁存使能
D
Q
L
H
H
H
L
H
L
L
L
L
X
不变
H
X
X
Z
乂=不用关心 z=髙阻抗
http //wwv elecfans ccm
74HC573
最大值范围:
符号
参数

单位
Vcc
DC供电电压(参考GND)

V
Vin
DC输入电压(参考GND)
--VCC+
V
Vout
DC输出电压(参考GND)
- 〜VCC+
V
【IN
每一个PIN的DC输入电流
20
mA
loUT
每一个PIN的DC输出电流
35
mA
Icc
DC供电电流,Vcc和GNDZ间
75
niA
Pd
在1'1然环境下,PDIP和SOIC封装下的 功耗
750
500
mW
Tstg
存储温度
・ 65+50
°C
Tl
引线温度,10秒(PDIP, SOIC)
260
°C
*放人值范围是指超过这个值,将损害器件。
操作最好在下面的推荐操作条件下。
+额定功率的下降——PDIP: -10inW/*C , 65°C〜125C
SOIC: -7mW/°C, 65°C〜125°C
推荐操作条件:
符号
参数
最小
最大
单位
Vcc
DC供电电压(参考GND)


V

DC输入电压,输出电压(参考GND)
0
Vcc
V
Ta
所有封装的操作温度
-55
+125
°C
tr» tf
输入上升和下降时间Vcc=
VCC=
Vcc=
0
0
0
1000
500
400
ns
这个器件帶有保护电路,以免被高的静态电压或电场损坏。然而,对丁•高阻抗 电路,必须要采取预防以免匸作在任何髙于报人值范閘的条件下工作。V/和Vour 应该被约束在GNDW (Vin或Vout) WVCC。
不川的输入管腿必须连接总是连接到•个适合的逻辑电压电平(也就是GND 或者Vcc)。不用的输出管腿必须悬空。
DC电子特性(电压是以GND为参考):
符号

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  • 上传人小辰GG
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  • 时间2021-12-06