射频功率放大器的设计.pdf

天津大学
硕 士 学 位 论 文
射频功率放大器的设计












专业名称： 微电子学与固体电子学
作者姓名： 李慧超
指导老师： 张世林
射频功率放大器的设计


Design of RF Power Amplifier







学科专业：微电子学与固体电子学
研 究 生：李慧超
指导教师：张世林 教授







天津大学电子信息工程学院
二零一三年十一月
独创性声明

本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的
研究成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含其他人已经发表
或撰写过的研究成果，也不包含为获得 天津大学 或其他教育机构的学位或证
书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中
作了明确的说明并表示了谢意。


学位论文作者签名： 签字日期： 年 月 日

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学位论文作者签名： 导师签名：

签字日期： 年 月 日 签字日期： 年 月 日
摘 要

全球无线通信技术迅猛发展，3G 长期演进 LTE (Long Term Evolution)标准将
成为未来无线通信技术的主流。TD-LTE 上行调制方式采用单载波频分多址接入
(SC-DFMA)，具有高的峰均比、严格的频谱掩膜和高的输出功率要求，对射频功
率放大器的设计提出了很大的挑战。本课题针对 2570-2620MHz 频段，基于不同
的工艺，展开了不同工作类型的射频功率放大器的设计工作，具体工作如下：
1、采用 IBM SiGe BiCMOS 工艺，在电源电压 情况下，完成
了工作于 Class-AB 类线性功率放大器的设计。在设计中采用两级结构，包括输
入输出级间阻抗匹配网络的设计，并利用基极整流电阻以提高交流稳定和热稳
性。最终完成了版图绘制、后仿真工作和测试工作。为进一步提