茂捷M5576兼容士兰微SD4872.doc

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概述：
M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低本钱优点。正常工作下，PWM开关频率处于合理的X围内，在空载或轻载条件下Vref_burst_L
离开跳周期模式的阈值
V
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IP_Short
P引脚短路电流
测量P短路到地的电流
mA
VTH_PL
过载时的P电压
V
TD_PL
过载延迟时间
80
88
96
mS
ZP_IN
输入阻抗
16
KΩ
电流检测输入〔SENpin〕
SST
软启动时间
4
ms
T_blanking
前沿消隐时间
220
ns
TD_OC
过载延迟时间
从过流产生到DRV引脚关闭
120
ns
VTH_OC
内部电流限制阈值电压与零占空比
V
Vocp_clamping
SEN电压嵌位
V
振荡器
Fosc
振荡频率
60
65
70
KHZ
Δf_OSC
频率抖动
+/-4
%
f_shuffling
抖频
32
Hz
F_Burst
跳周期模式频率
22
KHz
栅驱动
VOL
输出低电平
VDD=14V，IO=6mA
1
V
VOH
输出高电平
VDD=14V，IO=5mA
6
V
V_Clamping
输出钳位电压
12
V
T_r
输出上升时间
1V~12VCL=1000pF
175
ns
T_f
输出下降时间
12V~1VCL=1000pF
85
ns
过温保护
IOTP
OTP引脚输出电流
95
100
105
μA
VOTP
OTP阈值电压
1
V
VOTP_FL
OTP引脚悬空电压
V
Vth_OVP
外部OVP阈值电压
V
应用信息
M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低本钱优点。扩展模式大大降低了待机功耗，方案设计适应国际节能的要求。
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启动电流和启动控制
M5576上电后，通过整流后电压为连接到VDD脚的接地电容充电，当VDD脚的电压高于UVLO阈值时，芯片迅速启动。M5576启动电流非常低，高阻值启动电阻可减少功率损耗，并能在应用中稳定可靠的启动。
工作电流
。扩展突发模式能够实现高效率和低工作电流。
软启动
M5576上电后，在芯片启动期间，内部4ms的软启动来降低启动时的应力。当VDD达到VDD_OFF，。每次重启后都会重新软启动。
频率抖动干扰的改良
M5576集成了频率抖动〔开关频率调制〕功能进展扩频，最大限度地降低了EMI带宽，简化了系统设计。
跳周期模式操作
在轻载或空载状态，开关电源的功耗来源于开关MOSFET的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗，功率损耗的大小在于开关频率的比例。较低的开关频率，能降低功率损耗，从而节约了能源。
开关频率在空载或轻载条件下自行调节，降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率。只有当VDD电压下降到低于预先设定的值且P电压处在适当状态的时候，DRV驱动才处于打开状态，否如此，DRV驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗。
振荡器
开关频率固定在65kHz，PCB设计简化。
电流检测和前沿消隐
M5576是电流模式PWM控制，提供逐周期电流限制。开关电流是通过一个电阻接到SEN引脚来检测。内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率MOSFET的初始状态，由于缓冲二极管反向恢复电流和DRV功率MOSFET浪涌电流造成的检测电压尖峰，导致电流限制比拟器被屏蔽，无法关断功率MOSFET。PWM的占空比是由SEN电流检测输入电压和P输入电压计算确定的。
内部同步斜坡补偿
内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压参加SEN引脚输入电压来帮助生成PWM信号，它大大提高了在CCM下的闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。
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驱动
功率MOSFET是由专用DRV驱动功率开关驱动控制。DRV驱动强度越弱，功率