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模拟电子技术试题
《模拟电子技术》模拟试题二
一、填空题(每空1分 共32分)
1、P型半导体中空穴为( )载流子，自由电子为( )载流子。
2、PN结正偏时( )，反偏时( )，所以PN结具有( )导电性。
3、反向电流用( )负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以( )通频带( )失真。 9、反馈导数F=( )。反馈深度是( )。
10、差分放大电路能够抑制( )信号，放大( )信号。
11、OCL电路是( )电源互补功放，OTL是( )电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为( )。低频信号称为( )、高频信号称为( )。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而( )。共基极电路比共射极电路高频特性( )。
14、振荡电路的平衡条件是( )，( )反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是( )。
二、选择题(每空2分，共34分)
1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是( )
A 5v B 9v C 12v
2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、( )，该管是( )。
A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( )失真。共射极放大电路的交流输出波
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形下半周失真时为( )失真。
A 饱和 B 截止 C交越 D频率
4、差分放大电路是为了( )而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移
5、对功率放大器的主要要求有( ) ( ) ( )
A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真
6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在( )变化。
A 0-20 B 20 -200 C 200-1000
7、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( )U2。
A B C 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据( )( )。
A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1
9、对功率放大器的主要要求有( )( )( )。
A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真
10、振荡器的输出信号最初是由( )而来的。
A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号
三、分析计算题(共34分)
1、已知:电路如图所示K= U1=3V U2=-6V 求:Uo=? (5分)
2、已知:电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2k
RE= UBEQ= C1=C2=20ηF rbe= β=100 CE=10ηF (取小数点后一位)
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求: 1)ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分)
3、已知:电路如图所示 求: Uo=? (5分)
4、已知:RC振荡电路如下图所示 R= C= R1=5KΩ 求: 1)fo 2)Rt冷态电阻 3)指明Rt的温度特性(9分)
5、已知:电路如图IQ=5mA R1=500Ω R2=
求:输出电压Uo (5分)
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《模拟电子技术》模拟试题四
一 、填空题(每空1分 ，共32分)
1、自由电子为( )载流子，空穴为( )载流子的杂质半导体称为( )半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时( )，反偏时( )。
3、扩展运动形成的电流是( )电流，漂移运动形成的电流是( )。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为( )，等效成一条直线;当其反偏时，结电阻为( )，等效成开断。
5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是( )控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC( )，电流放大系数β( )。 7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用( )负反馈。为了稳定输出电流，采用( )负反馈。
8、负反馈使放大电路增益( )，但( )增益稳定性。
9、( )称为负反馈深度，其中F=( ),称为( )。
10、差模信号是大小( )，极性( )，差分电路不抑制( )漂移。 11、甲乙类互补功率放大器，可以消除( )类互补功率( )失真。 12、用低频信号去改变高频信号的( )称为调幅，高频信号称为( )信号。 13、当频率升高时，晶体管电流放大系数( )共基极电路比共射极电路的高频特性( )，fδ=( )fβ
14、振荡电路的平衡条件