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第五章半导体二极管和三极管.ppt


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文档列表 文档介绍
第五章半导体二极管和三极管
第一页,本课件共有91页
第5章 半导体器件基础与二极管电路
本章要求:
一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和
电流放大作用;
二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。
第九页,本课件共有91页
1. 在杂质半导体中多子的数量与
(a. 掺杂浓度、)有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与
(a. 掺杂浓度、)有关。
3. 当温度升高时,少子的数量
(a. 减少、b. 不变、c. 增多)。
a
b
c
4. 在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流
主要是 ,N 型半导体中的电流主要是 。
(a. 电子电流、)
b
a
第十页,本课件共有91页
PN结
PN结的形成
多子的扩散运动
内电场
少子的漂移运动
浓度差
P 型半导体
N 型半导体
内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。
扩散的结果使空间电荷区变宽。
空间电荷区也称 PN 结
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡,空间电荷区的厚度固定不变。
















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形成空间电荷区
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PN结的单向导电性
1. PN 结加正向电压(正向偏置)
PN 结变窄
P接正、N接负
外电场
IF
内电场被削弱,多子的扩散加强,形成较大的扩散电流。
PN 结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。
内电场
P
N


















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2. PN 结加反向电压(反向偏置)
外电场
P接负、N接正
内电场
P
N
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PN 结变宽
2. PN 结加反向电压(反向偏置)
外电场
内电场被加强,少子的漂移加强,由于少子数量很少,形成很小的反向电流。
IR
P接负、N接正

+
PN 结加反向电压时,PN结变宽,反向电流较小,反向电阻较大,PN结处于截止状态。
内电场
P
N
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