二维材料光电探测器的研究初探.pdf

第 卷 第 期 大 学 物 理 实 验
３４ １ (２)
决的问题 在光电导效应中 光激发过量载流子导致了
。 ,
二维材料的高迁移率 高吸光率和 兼 自由载流子浓度的增加和半导体电阻的降低 多
、 ＣＭＯＳ 。
容以及高透明 强韧性和低成本等优异物理性 余的载流子被外加的偏置电压隔开 电子向源极
、 ,
质[２] 更加符合人们对新型器件小型化 集成化 流去 空穴向漏极流去 从而形成了光电流
, 、 , , 。
的发展需求 为进一步改善光电探测器的整体性 光 热电效应
, (３) -
能提供了新的选择和方向 然而 二维材料的超 光 热电效应是由不均匀的光辐射引起的热
。 , -
薄厚度却会限制其对光的吸收能力 从而阻碍了 效应 此时会因产生的不同温度梯度而产生光电
, ,
外部量子效率和探测能力的提高 虽然现在许多 流和光电压
； 。
二维光电探测器显示出较高的光响应率 但这主 光 辐射热效应
, (４) -
要是通过牺牲响应速度来延长载体的使用寿