半导体设备工艺简介讲义教材.ppt

中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介
2014-3-3
半导体照明研发中心简介
“中国科学院半导体照明研发中心”，拥有
1500平方米的超净工艺环境；装备方面总体已完成
投入4000余万元，具备从材料制备、芯片工艺、封
装测试完6. 光学镀膜系统
设备简介：
厂商：富临
型号：FU-20PEB-OPTO
工作原理：
电子束斑聚焦到介质材料表面，使局部达到蒸发或升华温度，蒸发出来的原子沉积在基片表面，同时增加离子源辅助沉积，实现高密度、高折射率的光学薄膜。
用途：
用于蒸发光学膜，实现增透或高反效果
6. 光学镀膜系统
技术指标：
：SiO2，Ti2O5等
：2寸片，102片；
℃之间可调；
≦3%；
≧98%；
工艺特点：
1. 离子源辅助沉积实现光学薄膜的低温沉积，并形成致密、高折射率的介质膜;
2. 全自动、光谱仪监控薄膜的生长厚度，精确控制薄膜的蒸镀厚度;
3. 强大的软件模拟和执行功能，可将目标膜系和实际膜系的光谱实时比较
膜系实时监控
高反膜反射率超过98%
（金属）
技术指标：
；Ti/Al/Ti、Ni/Au、CrPtAu等，Au最
后可做到3um；
℃之间可调；
-off工艺一次可以蒸镀108片2"圆片；
-coverage工艺一次可以蒸镀67片2"圆片；
±5％.
工艺特点：
1. 因应功率IC(Ti/Ni/Ag)及ⅢⅤ族***化镓晶圆各种Lift-Off製程需求（Ti、
Au、Al、Ni、Cr、AuGe等），将Throw Distance拉高至＞26~32吋;
to Run膜厚均匀性可控制至＜±1%，以确保整体产品良率;
，可有效降低Cycle time，并提升材料利用率
（提高20%）
（金属）
设备简介：
厂商：AST(聚昌科技)
型号：Peva-600E
工作原理：
电子束斑聚焦到蒸发材料表面，使局部达到蒸发或升华温度，蒸发出来的原子沉积在基片表面，形成致密的金属薄膜。
用途：
用于蒸发Cr、Ti、Ni、Al、Au、Ag、AuSn等金属
（ITO）
设备简介：
厂商：AST(聚昌科技)
型号：Peva-600I
工作原理：
电子束斑聚焦到蒸发材料表面，使局部达到蒸发或升华温度，蒸发出来的原子沉积在基片表面，形成薄膜
用途：
本设备专门用于沉积ITO薄膜（一种透明导电薄膜，氧化铟锡）
（ITO）
技术指标：
，可加工横向尺寸2英寸以下的任意图型的平片状结构的基片，基片材料需要耐300摄氏度高温，不能污染设备腔室；标准2英寸晶片一次最大加工110片，3英寸晶片最大加工数量20片；
：300nm厚度ITO的方阻约10左右，on glass 460nm波长透过率90%左右，表面粗糙度约15nm。
工艺特点：
本设备属于偏产业化设备，一次加工量较大，沉积的薄膜光电特性优良，均匀性、重复性高。
示例：
电子束蒸发沉积的ITO薄膜为呈柱状颗粒紧密排布的
多晶材料

设备简介：
厂商：中国电子科技集团
型号：Peva-600I
工作原理：将导电的阴极和阳极插入电解液中,通电
后在阴极会有金属析出附着在阴极表面
用途：本设备能在金属表面电镀铜膜、镍膜。

技术指标：
；
-6片wafer（视wafer尺寸大小），
，样品需要耐酸性溶液，镀100微米需要4小时左右。
工艺特点：
设备简单、花费低、属低温工艺。
示例：
镀200微米厚的铜表面照片

设备简介：
厂商：精诚华旗
型号：HV180Ⅱ-RM
工作原理：退火炉是一种热处理设备，它把一种材料加热到一定温度并维持一段时间，然后让其自然冷却。
用途：释放应力；增加材料延展性和韧性；产生特殊显微结构。应用于半导体材料、器件（如LED）、新材料等的快速热处理（如快速退火、合金等工艺）。

技术指标：
-6英寸工艺尺寸;
～750℃±1℃/24h，氮气保护;
;
：50～100片/批