模拟电子技术基础_知识点总结.doc

. --- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge) 。 --- 光敏、热敏和掺杂特性。 ---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。 ---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 ---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 *载流子的浓度--- 多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻--- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。* 转型--- 通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 *PN结的接触电位差--- 硅材料约为 ~ ,锗材料约为 ~ 。*PN结的单向导电性--- 正偏导通,反偏截止。 *单向导电性------ 正向导通,反向截止。*二极管伏安特性---- 同PN结。*正向导通压降------ 硅管 ~ ,锗管 ~ 。*死区电压------ 硅管 ,锗管 。 ------ 将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V 阳>V 阴(正偏),二极管导通(短路); 若V 阳<V 阴(反偏),二极管截止(开路)。 1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q。. 2)等效电路法?直流等效电路法*总的解题手段---- 将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。*三种模型?* 稳压二极管的特性--- 正常工作时处在 PN 结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。、类型及特点 --- 分为 NPN 和PNP 两种。 --- 基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。. *共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。 *输入特性曲线--- 同二极管。*输出特性曲线(饱和管压降,用 U CES表示放大区--- 发射结正偏,集电结反偏。截止区--- 发射结反偏,集电结反偏。 ,输入特性曲线向左移动。温度升高 I CBO、I CEO、I C以及β均增加。(简化) h ie--- 输出端交流短路时的输入电阻, 常用 r be表示; h fe--- 输出端交流短路时的正向电流传输比, 常用β表示; 、、R b、R c、C 1、C 2的作用。 ---- 能放大、不失真、能传输。. *概念--- 直流电流通的回路。*画法--- 电容视为开路。*作用--- 确定静态工作点*直流负载线--- =I CR C+U CE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响 1)改变 R b:Q点将沿直流负载线上下移动。 2)改变 R c:Q点在 I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3)改变:直流负载线平移, Q点发生移动。 *概念--- 交流电流流通的回路*画法--- 电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用--- 分析信号被放大的过程。*交流负载线--- 连接 Q点和’’=U CEQ+I CQR L’的直线。 (1)截止失真*产生原因--- Q点设置过低*失真现象---NPN 管削顶, PNP 管削底。*消除方法--- 减小 Rb,提高 Q。(2)饱和失真*产生原因--- Q点设置过高*失真现象---NPN 管削底, PNP 管削顶。*消除方法--- 增大 R b、减小 Rc、增大。 (1)Uopp--- 是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2)范围*当(U CEQ-U CES)>(’-U CEQ)时,受截止失真限制,U OPP=2U OMAX=2I CQR L’。. * 当( U CEQ-U CES )<( ’-U CEQ )时,受饱和失真限制, U OPP=2U OMAX=2(U CEQ- U CES)。*当( U CEQ-U CES)=( ’