低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计.pdf

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丁 恒等 ：低 相位 噪声 单 片压 控振 荡器 频 率的调整。晶体 管 �与 电容 �，，��共 同作用呈现 出负阻�
� 振荡 电路原 理分 析�
特性，在理想情况下负阻 �一一��．� ，��为晶体管�的�
压控振荡器的单 片集 成化可使 电路实现低功 耗 、低成� Ⅲ ��／��
本 、高一致性 。由于 ���具有特征频率 高 ，�／�噪声 小 的� 跨 导 ，山为振荡 角频 率。当谐振 回路 中等效负 载 电阻值小�
特点 ，用在微波频段 低相 位噪声 ���单 片 电路 中具 有独� 于或等于� 时 ，回路形 成稳定 的振荡 。�
Ⅲ � ��� ��
特 的优点 。但是由于单 片电路 中的谐振 电路 �值 比较低 ，�
想做到低的相位 噪声 也不 太容 易。为 了得 到 比较好 的相� �����晶体管、变容二极 管模型和电路仿真结果�
位噪声特性 ，就 必须 尽 可能 降低 振荡 电路 中谐 振 器 的损�
�．�� ��� 晶体 管�
耗 ，同时要考 虑 ���本 身的器件特性 。本文设计 的 ����
振 荡器采用 �个 ��� � 的 ���作为振 荡 晶体管 ，其�
振荡电路原理图如 图 �所示 。�