高频实验 变容二极管调频实验.pdf

电子科技大学中山学院学生实验报告
系别：电子工程系 专业： 课程名称：高频实验
班级： 姓名：
变容二极管上的反向电压为 u r (t) VQ u (t ) VQ U m cos t ，式中， V Q 是加在变容二极管上
的直流偏置电压。因此，变容二极管的结电容为
C C
j 0 jQ 4
C j C jQ C m cos t （ ）
V Q U m cos t 1 mcos t
1
U D
V U
式中， Q 为未加调制信号时的结电容， C C m ，其中， m 为电容调制度。
C jQ C j 0 1 m jQ m
U D VQ U D
C j 随调制电压的变化情况如图 2 所示。图 2 变容二极管结电容随调制电压的变化关系
总回路电容
C cC j C c C jQ C m cos t
C C C
Cc C j Cc C jQ C m cos t
2
Cc