第九章-显示-06.ppt

TFT AMLCD 制备的过程
1. LCD屏
2. 驱动电路模块
背光源及其外壳
灯
外壳
彩色滤色片
基板
TFT 阵列基板
制备TFT 矩阵的玻璃基板
制备彩色滤色膜和公共电极的基板
灌注液晶封装成液晶盒
外围rier package，TCP）上制备铜引线并由凸点与芯片压焊点相连。
TAB中使用的TCP结构
聚合物
柔性材料
切割线
树脂
ILB凸点
OLB
输入端

OLB
输出端
间距<100m
对准标记
通常TCP与液晶显示屏的联接采用各向异性导电胶(膜）法 (anisotropic conducting film, ACF)
各向异性导电胶中含有不连续的导电粒子球，将涂有各向异性导电胶的基板贴焊上凸点芯片后，适当加热、加压，使凸点金属平面通过导电粒子球压在基板的焊点上，而其他方向（平行与基板方向）上因无连续的粒子球而不会导电。
TAB的组装
TFT AMLCD 模块的组装
TFT AMLCD 模块组装的流程
液晶屏
PCB和ICs
TCP键合
表面贴装工艺
PCB焊接
驱动测试
背光源及底盘组装
背光源及底盘
COG的组装
驱动电路直接键合在玻璃上而不是TCP上
驱动电路
背光源的结构
实际光源的利用率只有10％
等效电路
驱动方法
逐行寻址
扫描信号：逐行扫描，在选通该行的同时，同时输出相应行的图像信号
图像信号：并行输出
对TFT的要求
开态电流:
希望足够大，在TFT导通时足以给液晶象素单元充电
若帧显示时周期为Tframe ，扫描行数为Nrow，则TFT导通时间为Tframe / Nrow，象素电容为Cpixel＝CLCD＋Cs，Von是所需要充电的电位，则要求Ion满足
对TFT的要求
关态电流:
越小越好，在TFT关断的时间内，由于关态电流所造成的电荷泄漏及相应的液晶象素上的电位变化不会引起显示特性的变化。
对TFT的要求
开关态电流比:
越大越好，一般要求大于106
独立电极的存储电容
信号电极
栅扫描电极
象素电极
ITO
存储电容
采用透明电极的Cs电容提高开口率
信号电极
栅扫描电极
象素电极
ITO
存储电容
栅总线的存储电容－改进Cs的方法
减少工艺复杂性，提高开口率；但使栅线的RC延迟增加
遮光层的设计
（a）顶栅TFT
（b）底栅TFT
遮光层
希望工艺简单、最好不需额外工艺
尽可能提高开口率
信号电极
栅扫描电极
象素电极
ITO
存储电容Cs
信号电极
黑矩阵
开口处
BM交叠
开口率
问题
TFT栅源寄生电容的影响产生VFT
导致正负场时加在LC上的电压不一致，引起显示不均匀
通常需要调整背电极上的电压波形，消除VFT的影响，使显示均匀
Gamma变换
LCD的Gamma特性
64级灰度
256级灰度
与灰度相对应的电压不是线性的
属于新型的反射式micro LCD投影技术，其结构是在硅片上直接生长开关晶体管、象素象素和驱动电路，利用CMOS工艺制作驱动面板(又称为CMOS -LCD)，然后在晶体管上利用CMP技术磨平，并镀上铝当作反射镜，形成CMOS基板，然后将CMOS基板与含有透明电极之上玻璃基板贴合，再注入液晶，进行封装测试。
Liquid Crystal On Silicon LCOS
Liquid Crystal On Silicon LCOS
顶层反射镜面作为象素
器件及电路作在象素下部
反射式显示
带有彩色滤色膜的 LCOS
Fujitsu 的 LCOS
LCOS的主要工艺流程
，随后进行后部工艺
CMP 介质层，磨平
利用W填充通孔
制备反射层
为提高反射率，需要上象素尽可能平
一般反射波长在400－700nm
利用W填充通孔
LCOS是一种投影显示技术，LCOS已成为投影显示技术的新主流。
LCOS市场定位在大尺寸显示器产品及HMD(Head Mount Device)。目前业界普遍认可：在显示器市场20'以下以LCD为主流，PDP可应用于30'- 60'产品，但价格昂贵，投影显示器适用于30'- 60’以上的产品，具有解析度高，价格适中等优势。LCOS投影显示技术则是落于上述投影显示器市场；另外亦可作为直视元件，应用在HMD中。
省电、便宜与高解析度为LCOS最大优点。LCOS可视为LCD的一种，传统的LCD是做在玻璃基板上，但LCOS则是长在硅片上。和LCOS的相对比的产品，最常用在投影机上的高温多晶硅LCD为代表。后者通常用透式投射的方式，光利用效率只有3%左右，解析度不易提高；LCOS则采用反射