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可控硅符号说明
可控硅符号说明：
V RRM--反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重复加在可控硅上的交流电压。此电压小于反向最高测试电压101V。反向最高测试电压，规定为反向漏电流急速增加，反向特性

可控硅符号说明
可控硅符号说明：
V RRM--反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重复加在可控硅上的交流电压。此电压小于反向最高测试电压101V。反向最高测试电压，规定为反向漏电流急速增加，反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM--正向断态重复峰值电压；正向断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压，国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM 的90%，断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(A V)/ IF(A V)--通态/正向平均电流；在环境温度+40℃和额定结温下，导通角不小于170°阻性负载电路中，允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
IT(RMS), IF(RMS)――通态/正向方均根电流；是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值，用户在使用中须保证，在任何条件下流过器件的电流有效值，不超过对应壳温下的方均根电流值ITSM, IFSM--通态/正向浪涌电流；指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流（半个正弦波t=10ms, 50Hz）


可控硅符号说明：
V RRM--反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重复加在可控硅上的交流电压。此电压小于反向最高测试电压101V。反向最高测试电压，规定为反向漏电流急速增加，反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM--正向断态重复峰值电压；正向断态重复峰值电压是