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卧式辐射加热器温度控制系统的制作方法
专利名称：卧式辐射加热器温度控制系统的制作方法
技术领域：
:本实用新型涉及一种温度控制系统，尤其涉及一种卧式辐射加热器温度控制系统。
技术背景:冷氢化工艺是国内目前多晶硅行业的趋势，这是由于冷及三个以上加热区，每个加热区的功率根据介质的流向从高到低布置，确保金属螺旋管每个部位的温度均匀，金属螺旋管的最高温度仅620°C就能满足出口温度600°C的要求，降低了使用温度，提高了许用应力，减少了壁厚，降低了投资成本；通过温度传感器TEI把金属螺旋管表面温度传输给温度控制器TCI，经温度控制器TCI中设有的PID运算后，将信号输送带功率调整器SCR，形成一个闭环系统；当温度传感器TEI出现故障时，金属螺旋管表面温度通过温度传感器TEII传输给超温控制器0TC，超温控制器OTC与功率调整器SCR相连，关闭断路器CB ;每个加热区有两个温控点，温控点的选取是预先根据有限元分析的位置，其中一个作为主控制点，另一个作为超温报警点，不管系统出现断流、小流量或正常公开时，金属螺旋管的温度始终保持在620°C左右，不会有任何超温现象，减少超温的发生就大大提高了系统的可靠性，延长了系统的使用寿命。
:图1为本实用新型的结构示意图；图中标记为:1、辐射加热炉，2、电热丝，3、金属螺旋管，4、电源接线盒，5、温度传感器TEI，6、温度传感器TEII，7、温度控制器TCI，8、超温控制器OTCI，9、功率调整器SCRI，10、交流接触器MCI，11、断路器CBI，12、温度传感器TEIII，13、温度传感器TEIIII，14、温度控制器TCII，15、超温控制器0TCII，16、功率调整器SCRII，17、交流接触器MCII，18、断路器CBII，19、温度传感器TEIIIII，20、温度传感器TEIIIIII，21、温度控制器TCIII，22、超温控制器OTCI 11,23,功率调整器SCRI11，24、交流接触器MCIII，25、断路器CBIII，PV:过程值，SP:设定值。
具体实施方式
:如图所示，卧式辐射加热器温度控制系统，其特征在于:辐射加热炉内安装有一根金属螺旋管，辐射加热炉内壁上下对应位置设有加热丝，辐射加热炉均分为三个及三个以上加热区，在各加热区外壁的底部均设有电源接线盒，三个电源接线盒上分别安装有功率调整器SCRI9、SCRII16、SCRIII23 ;第一个加热区中，在金属螺旋管头部和尾部表面分别安装有温度传感器TEI5、温度传感器TEII6，温度传感器TEI5通过温度控制器TCI7与功率调整器SCRI9连接，TEII6通过超温控制器0TCI8与交流接触器MCIIO连接，断路器CBIll通过交流接触器MCI 10与功率调整器SCRI9连接；第二个加热区中，在金属螺旋管头部和尾部表面分别安装有温度传感器TEII112、温度传感器TEIIII13，温度传感器TEII112通过温度控制器TCII14与功率调整器SCRII16连接，TEIIII13通过超温控制器0TCII15与交流接触器MCII17连接，断路器CBII18通过交流接触器MCII17与功率调整器SCRII16连接；第三个加热区中，在金属螺旋管头部和尾部表面分别安装有温度传感器TEIIII119和温度传感器TEIIII1120，温度传感器TEIIII