半导体制造装置用温度调整装置、半导体制造中的pid常数运算方法、以及半导体制造装...的制作方法.docx

半导体制造装置用温度调整装置、半导体制造中的pid常数运算方法、以及半导体制造装...的制作方法
半导体制造装置用温度调整装置、半导体制造中的pid常数运算方法、以及半导体制造装 ...的制作方法
一种半导体制造装置用温度调整装置(3)被用于闭合（close)型半导体制造装置，所 述闭合型半导体制造装置向用于处理半导体的处理槽供应进行了温度调整的流体，从所述 处理槽回收处理后的流体，再次进行温度调整，
[0022] 所述PID常数运算部件基于所述流体的循环流量、所述流体的密度以及比热、所 述热交换部的热交换部容积、作为所述流体的目标温度以及环境温度之差的函数而提供的 散热系数、所述流体流通的所述半导体制造装置的管线的管线容积、以及所述处理槽内的 流体量，运算PID常数。
[0023] 本发明的第四方式所涉及的半导体制造装置用温度调整装置的特征在于，在第一 方式至第三方式的任一个方式中，
[0024] 所述温度调整部件是在护套（sheath)管内部密闭封入卤素气体（halogengas) 且内插了灯丝（filament)的卤素灯加热器。
[0025] 本发明的第五方式所涉及的半导体制造装置用温度调整装置的特征在于，在第一 方式至第三方式的任一个方式中，
[0026] 所述温度调整部件是在护套管内部内插了镍铬合金（Nichrome)线的护套加热 器。
[0027] 本发明的第六方式所涉及的半导体制造装置用温度调整装置的特征在于，在第一 方式至第三方式的任一个方式中，
[0028] 所述温度调整部件具备泊耳帖（Peltier)元件。
[0029] 本发明的第七方式所涉及的半导体制造中的PID常数运算方法是使用半导体制 造装置用温度调整装置的半导体制造中的PID常数运算方法，所述半导体制造装置用温度 调整装置为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部，所述热交换部 在内部具有对所述流体进行加热冷却的温度调整部件，所述热交换部在所流入的所述流体 以及所述温度调整部件之间进行热交换，其特征在于，
[0030] 所述半导体制造装置用温度调整装置被用于闭合型半导体制造装置，所述闭合型 半导体制造装置向用于处理半导体的处理槽供应进行了温度调整的流体，从所述处理槽回 收处理后的流体，再次进行温度调整，
[0031] 在设为
[0032] 热交换部容积(m3)
[0033] 温度调整部件输出：P(KW)
[0034] 与温度调整部件的种类相应的系数：γ(彡1)
[0035] 温度传感器时间常数：TSen(SeC)
[0036] 处理槽的散热系数：a(l/sec)
[0037] 流体的循环流量：q(m3/sec)
[0038] 处理槽内的流体量：Vb(m3)
[0039] 流体的比热：Cp(J/(kg·K))
[0040] 流体的密度：P(kg/m3)
[0041] 流体的设定温度：Sv(K)
[0042] 装置周围的环境温度：Tr(K)
[0043] 装置管线容积：Vp(m3)
[0044] 时，基于这些值，使用下述式（1)所示的传递函数匕（8)，运算PID控制用的PID常 数（比例增益：Kp，积分时间：Ti，微分时间