下载此文档

模电第3章二极管.docx


文档分类:通信/电子 | 页数:约15页 举报非法文档有奖
1/15
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/15 下载此文档
文档列表 文档介绍
2
模电第3章二极管
第三章 二极管3.1 理想二极管 3.2 结二极管端口特性 3.3 二极管正向特性建模 3.4 工作在反向击穿区域的二极管—齐纳二极管 3.5 整流电路 3.6 限幅电路与钳位电路 3.7 二极管的物理特性onal Experimental Teaching Demonstration Center
同理,假设两个二极管是导通的,那 么 VB 0且V 0.D2 的电流 10 0 I D2 2mA … … … ① 5 B点的节点方程 …② 明显这不行能,假设错了.重新假设 D1截止,D2导通,则 I D 2 1.33mA … ③ 节点B的电压 VB 3.3V … … … ④ 因此D1符合截止的假设,最终结果 I 0,V 3.3V … … … ⑤国家试验教学示范中心杭州电子科技高校电工电子试验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center
I 2
0 ( 10) ,即,I 1mA 5
另解例题3.2D1
ID2ID2
6
10kΩ
B5kΩ 10 V
+ V -
10 V

含二极管的直流电路分析步骤 假定全部二极管开路; 推断每个二极管上的电压,正向导 通,反向截止; 画出二极管导通或截止的等效电路 进行分析。
国家试验教学示范中心杭州电子科技高校电工电子试验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center
I+ D1 vD1 - B
ID2- vD2 + 5kΩ 10 V
ID2
10kΩ
D1
D2
ID2
10kΩ
B
+ V -
5kΩ 10 V 10 V
+ V -
8
10 V
VD 2 10 10 20V VD1 10V
D1 、D2都导通
ID2
10 1mA 10国家试验教学示范中心
10 I I D 2 1mA 5
V 0
杭州电子科技高校电工电子试验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center
2. 结二极管端口特性正向偏置区域
v 0正向 压缩尺度
击穿区
反向偏置区域
扩 展 尺 度
v VZK
v 0二极管伏安特性
国家试验教学示范中心杭州电子科技高校电工电子试验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center
正向偏置区i I S (ev nVT
v0 1)kT q
其中,IS:饱和电流,与结面积和温度有关;
VT:热电压,室温时典型值为25mV, VT k:波尔兹曼常数,1.38x10-23J/K; T:热力学温度,273+摄氏温度; Q:电荷量,1.60x10-19C
9
n:1~2之间的常数,取决于二极管的材料和物理结构。 一般取 n=1.国家试验教学示范中心杭州电子科技高校电工电子试验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center
正向偏置区For i I S (ev nVT
v0 1)I2
i
if i I S ,
i I S ev nVT
I1V2 nVT
For I1 I S e we have
V1 nVT
and I 2 I S e
V1
vV2
开启电压 导通电压
I2 e(V2 V1 ) / nVT I1
V2 V1 nVT ln
I2 I 2.3nVT log 2 I1 I1
c. 开启电压 V=0.5V 导通电压 0.6~0.8V 假定 VD(on) = 0.7V 导通电压与温度有关:-2mV/C0国家试验教学示范中心杭州电子科技高校电工电子试验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center
10
反向偏置区: v 0For i I S (ev nVT
1

模电第3章二极管 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.