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------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————模电总结复****资料__ 模拟电子技术基础第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识 1. 半导体--- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质( 如硅 Si、锗 Ge) 。 2. 特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。 3. 本征半导体---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5. 杂质半导体---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素( 多子是空穴, 少子是电子)。*N 型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度--- 多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。* 体电阻--- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。* 转型--- 通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结* PN 结的接触电位差--- 硅材料约为 ~ ,锗材料约为------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— ~ 。* PN 结的单向导电性--- 正偏导通,反偏截止。 8. PN 结的伏安特性二. 半导体二极管* 单向导电性------ 正向导通,反向截止。* 二极管伏安特性---- 同PN结。* 正向导通压降------ 硅管 ~ ,锗管 ~ 。* 死区电压------ 硅管 ,锗管 。 3. 分析方法------ 将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V 阴( 正偏) ,二极管导通( 短路); 若V阳<V 阴( 反偏) ,二极管截止( 开路)。 1 )图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q。 2) 等效电路法? 直流等效电路法* 总的解题手段---- 将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V 阴( 正偏) ,二极管导通( 短路); 若V阳<V 阴( 反偏) ,二极管截止( 开路)。* 三种模型? 微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————* 稳压二极管的特性--- 正常工作时处在 PN 结的反向击穿区, 所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点 1. 类型--- 分为 NPN 和 PNP 两种。 2. 特点--- 基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态 2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数( 表明三极管是电流控制器件式子 3. 共射电路的特性曲线* 输入特性曲线--- 同二极管。称为穿透电流。* 输出特性曲线( 饱和管压降,用 UCES 表示放大区--- 发射结正偏,集电结反偏。截止区--- 发射结反偏,集电结反偏。 4. 温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————温度升高 ICBO 、 ICEO 、 IC 以及β均增加。三. 低频小信号等效模型(简化) hie--- 输出端交流短路时的输入电阻, 常用 rbe 表示; hfe--- 输出端交流短路时的正向电流传输比, 常用β表示; 四. 基本放大电路组成及其原则 1. VT、 VCC 、 Rb 、 Rc、 C1、 C2 的作用。 2. 组成原则---- 能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分