磁控反应溅射沉积aln薄膜的制备工艺_朱昌.doc

------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————磁控反应溅射沉积 AlN 薄膜的制备工艺_ 朱昌第28卷第1期?????????????????????????? 西??安??工??业??大?? 学??学??报???????????????????????? 年02 月????????????????????????JournalofXi anTechnologicalUniversity???????????????????????? 文章编号:??1673??9965(2008)01??015??03 磁控反应溅射沉积 AlN 薄膜的制备工艺朱昌, 朱春燕( 西安工业大学薄膜技术与光学检测重点实验室, 西安 710032) *摘??要:?? 采用反应磁控溅射的技术, 利用高纯氮气和氩气混合气体在 K9 玻璃基片上沉积了 AlN 薄膜. 通过正交实验, 分析了工艺参数与沉积速率的关系. 研究了氮气浓度对透过率的影响. 实验结果表明: 在各工艺参数中靶功率对沉积速率影响最大, 靶功率为 , 氮气浓度控制在 25%~35% 时薄膜的性能良好, 沉积速率为 39nm/min, 薄膜在可见光区域平均透过率为 90%. 该薄膜可以广泛用于光学薄膜和压电薄膜材料. 关键词:?? 反应磁控溅射;AlN 薄膜; 沉积速率; 透过率中图号:?????????? 文献标志码:??A????AlN 薄膜具有高折射率、高透过率、低消光系数等优点,在微电子器件和光学器件领域应用广泛. 另外,AlN 薄膜的声速比 ZnO 和 CdS 的声速大约高一倍, 因而在不减小叉指电极宽度的情况下, 就能使------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————中心频率提高一倍[4], 是 GHz 级表声波(SAW) 和体声波(BAW) AlN 薄膜应用于 BAW 和 SAW 器件, 薄膜必须是择优取向的多晶薄膜[5??6], 这就要求其沉积速率不能过高. 但通常提高沉积速率, 不但可以节省制膜时间, 而且还可制备出晶粒更为细小的薄膜. 因此对薄膜沉积速率的控制是非常重要的. 文中利用反应磁控溅射法制备 AlN 薄膜, 主要探讨了工艺参数对沉积速率和光学性能的影响, 最后讨论了薄膜制备工艺对薄膜特性的影响. [1??3] 清洗 3min. 然后将铝靶在氩气流量为 m下, 进行预溅射 3min, 除去其表面的污染物和氧化层. 通入氮气和氩气混合气体, 在恒功率的条件下开始反应溅射制备 AlN 薄膜, 溅射过程中不加热, 使其自然升温, 溅射时间 7min. 溅射完毕, 使薄膜在纯氮气中冷却至室温取出. AlN 薄膜的膜厚用 M??2000UI 型椭圆偏振仪测量, 膜厚除以时间得