模电总结复习模拟电子技术基础.docx

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第一章半导体二极管

半导体-一导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）o
特性一-光敏、热敏和掺杂特性。
本征半导体一一纯净的具有单晶体结构的半导体。（其导电性能与温度紧密相关，但为短路。
*作用一-分析信号被放大的过程。
*交流负载线一连接Q点和K虹 点V cc'=坛+砌的 直线。
（1） 截止失真
*产生原因一-Q点设置过低
*失真现象一-NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法一-减小死，提高Q
（2） 饱和失真
*产生原因一-0点设置过高
*失真现象一-NPN管削底，PNP管削顶。
*消除方法一-增大&、减小Rc、增大佐c。

（1） tt）pp-一是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2） 范围
*当（Ud£> > （险'一瞄）时，受截止失真限制，Uk2U咐=2IcR'。
ic(皿*) in (uA)
(b)输出特性图解法
(a)输入特性图解法
*当(UcEQ —UcEs) V (Vcc'— *当(UcEQ —UcEs) = (Vcc'—
放大电路的等效电路法
静态分析
静态工作点的近似估算
, _ 片C • °BEQ
BQ=一瓦一
】CQ * 0【BQ
I’CEQ =叱C -，CQ&
0点在放大区的条件
Uw )时，受饱和失真限制，U0PP=2Um>l=2 (Uc四一U4 Uw ),放大器将有最大的不失真输出电压。
(a)基本共射放大电路(b)直流通路
欲使。点不进入饱和区，应满足Rb> 8Rc。
放大电路的动态分析
*放大倍数
_冬=啪
u 7%
'i H>e
4 - 氏妣 氏 + R] 氏 + Ri rbe
R _ M _ 广 i
* 虹 WRb+Wrbe
= JRb//rbe
程定工作点放大器
*输出电阻
心=3- * 小
7t
分压式稳定工作点共射
放大电路的等效电路法
静态分析
Icq « 牛，顿 Icq堆
4 "us
'「O — A

微变等效电路
(a)共集电极基本放大电路
(b) H参数等效电路
——气 C 角＞1 +鱼＞2
UCEQ 1 CC -lcQ(& +&)
动态分析
*电压放大倍数
A =也=一—国— u Ui rbe+(l + m
在Re两端并一电解电容Ge后
Us Ri+氏 U
输入电阻
耳=Rbl〃Rb2〃[〃be + (1 + D)玖]
在Re两端并一电解电容6e后
与=Kbl〃Rb2〃，"be
*输出电阻
& a &
共集电极基本放大电路
静态分析
T = I Jc -乙 BEQ
BQ —凡 +a + zo&
动态分析
*电压放大倍数
A _u0_ (i+m 'u t/j rbe+(! + /?)/?£
*输入电阻
&i=&b〃[rbe+（l + P）（夫 e 你 L）】
*输出电阻
= Re//
?'be +^sb
1 + P
电路特点
*电压放大倍数为正，且略小于1,称为射极跟随器，简称射随器。
*输入电阻高，输出电阻低。
第三章场效应管及其基本放大电路
（JFET ）
结构示意图和电路符号
（a） N-JFET结构及电路符号
（b） P-JFET结构及电路符号
in/mA
夙砂・6"
预夹断轨迹 «DS=
。被止区 “DS=“D$I 输出特性
my蜜 饱和区 -2V 1/ 区
输出特性曲线
（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）
转移特性曲线
截止电压
‘D =1dSS(1-7?^)2 (L7p<WGS<0)
（MOSFET）
S -4-3 -2 -1 0 "Wv
（b）转移特性
分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。
结构示意图和电路符号
("GS>〃T)
（C）耗尽型输出特性（d）耗尽型转移特性
特性曲线
*N-EMOS的输出特性曲线
”=如。笋-IF
N-EMOS的转移特性曲线 队
式中，R是«s=2«时所对应的办值。
N-DMOS的输出特性曲线
注意：如可正、可零、可负。转移特性曲线上办=0处的值是夹断电压疆此曲线表示式与结型 场效应管一致。

漏极饱和电流7DSS
夹断电压丛
开启电压«
直流输入电阻治
低频跨导& （表明场效应管是电压控制器件）
2 — %
°” G'S

"DS=常数
JA = 2 U + I ds “ _ 2Zdss I gsq