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SJ T 11848-2022 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范-征求.pdf


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文档列表 文档介绍
: .
ICS
采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装。
外形尺寸
1SJ/TXXXXX—XXXX
外形符合GB/T 7581-1987中A3-01B型的要求。外形图见图1，外形尺寸见表1。
注： 。
图1 外形图
表 1 外形尺寸
单位为毫米
尺寸数值
符 号
最 小 标 称 最 大
A —
Φa — —
Φb1 — —
Φb2 —
ΦD —
ΦD1 —
j
K —
L —
L1 — —
最大额定值和电特性
最大额定值
最大额定值见表2。除非另有规定，Ta=25℃。
表 2 最大额定值
数

SJ T 11848-2022 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范-征求 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

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文档信息
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  • 时间：2022-08-03
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