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第02章半导体存储器.ppt


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文档列表 文档介绍
第02章半导体存储器
第1页,共34页,2022年,5月20日,13点9分,星期五
内容安排
一. 半导体存储器的分类
二. 随机存储器(RAM)
三. 只读存储器(ROM)
四. 存储器的扩展技术
五. 存22年,5月20日,13点9分,星期五
双通道 DDR DRAM:双通道内存体系包含了两个独立的、具备互补性的64位智能内存控制器,两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作,形成了128位宽度的内存数据通道,使内存的带宽翻了一番(理论上,实际为3%~18%),如P4处理器
DDR2 SDRAM:是在DDR SDRAM基础上发展的,采用锁相技术,可以在一个时钟周期内传输4次数据
如:Intel 915P Express芯片组支持DDR2 内存,其频率为533MHz/400MHz
第16页,共34页,2022年,5月20日,13点9分,星期五
§ 只读存储器(ROM)
特点:非易失性 (即掉电后信息不丢失)
分类:MROM、PROM、EPROM、EEPROM(E2PROM )和闪速存储器(Flash Memory)等
掩膜型只读存储器,该类芯片生产成本低、适合于批量大,程序和数据已经成熟的产品中,由厂家一次性写入,数据不能修改
(1) MROM
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可编程只读存储器,可由用户借助专用编程器一次性写入,数据不能修改
可擦除可编程只读存储器,用户可以借助仿真器,选择适当的写入电压,将程序写入EPROM;该芯片背后有一个透明的石英窗口,可用紫外线照射,可擦除芯片内的信息,擦净后,读出的状态均为“FFH”,擦除后的芯片可重复写入(重复写入的次数可达上万次),其信息可保持几十年之久
常用EPROM芯片型号:2716(2K×8)、2732(4K×8)、2764(8K×8)、27128(16K×8)等
(3) EPROM
(2) PROM
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常用EEPROM芯片型号:2816、2817 (+12)、2816A、2864A、28512A、28010(1MB)、28040(4MB)、NMC98C64A、24××、934×、93C6×等
(4) EEPROM(E2PROM )
电擦除可编程只读存储器
特点:不用专门的擦除器擦除,可在线擦除和编程、写入过程中自动擦除并写入;擦除方便,已被广泛的应用于科研和产品的开发过程中
读取时间:120~150ms
擦除时间:约10ms
分类:并行EEPROM和串行EEPROM
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采用非挥发性存储技术,能够在线擦除重写,写入速度已达30ns,类似于RAM,掉电后信息可保持10年
单片机内部已嵌入不同容量的Flash存储器
如:AT89C51/52、MC908GP32等
(5)闪速存储器(Flash Memory)
PentiumII机以后的主板都采用了这种存储器存放BIOS程序,取代了EPROM,可以使BIOS程序及时升级
典型的闪存芯片有29C256(32K×8)、29C512(64K×8)、29C101(128K×8)、29C020(256K×8)、29C040(512K×8)、29C080(1024K×8)等
第20页,共34页,2022年,5月20日,13点9分,星期五
§ 存储器的扩展技术
原因:各种存储器芯片的单片容量是有限的,要构成一定容量的内存就必须使用多片存储器芯片构成较大容量的存储器模块
存储器的扩展方式
位扩展
字扩展
字位全扩展
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(1)位扩展
如: 用2片SRAM6116组成2K×16B存储容量的存储系统
特点:
① 存储芯片的地址线,片选信号线及控制信号线均并联
② 数据线按数据位的高低顺序分别连到数据总线上
第22页,共34页,2022年,5月20日,13点9分,星期五
(2)字扩展
是存储单元数的扩展,数据宽度仍以字节为单位,只是对存储器系统的寻址空间进行扩展
特点:
① 存储器芯片的地址线、数据线、读、写控制信号线均并联
② 片选信号线是各自独立被选中的
第23页,共34页,2022年,5月20日,13点9分,星期五
如果存储器的字数和位数都不能满足需要,就要进行字和位的全扩展,字位全扩展是由字扩展电路和位扩展电路组合而成
(3)字位全扩展
电路如何画?
第24页,共34页,2022年,5月20日,13点9分,星期五
存储器都是挂在总线上

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  • 上传人卓小妹
  • 文件大小2.39 MB
  • 时间2022-08-12