第7章 霍尔式传感器及应用.ppt

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汇报人:
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日期:
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磁场与薄片法线夹角为
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常用的霍尔元件材料
锗、硅、***化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造,其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好,其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。***化铟的霍尔系数较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。
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常用国产霍尔元件的技术参数
参数名称
符号
单位
HZ-1型
HZ-2型
HZ-3型
HZ-4型
HT-1型
HT-2型
HS-1型
材料(N)型
Ge(111)
Ge(111)
Ge(111)
Ge(100)
InSb
InSb
InAS
电阻率

·cm
~
~
~
~
~
~

几何尺寸
L×b×d
mm3
8×4×
4×2×
8×4×
8×4×
6×3×
8×4×
8×4×
输入电阻
Ri

110±20%
110±20%
110±20%
45±20%
±20%
±20%
±20%
输出电阻
Ru

100±20%
100±20%
100±20%
40±20%
±20%
±20%
1±20%
灵敏度
KH
mV/(mA·T)
>12
>12
>12
>4
±20%
±20%
1±20%
不等位电阻
ro

<
<
<
<
<
<
<
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霍尔片、引线和壳体组成

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(1)当控制电流为直流输入时,为了得到较大的霍尔输出,可将几块霍尔元件的输出串联。但控制电流必须并联,决不能串联。因为串联起来将有大部分控制电流被相连的霍尔电势极短接。
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(2)当控制电流为交流输入时,可采用如图连接方式,这样可以增加霍尔输出电势及功率。
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(1)乘积灵敏度KH
(2)额定控制电流Icm
(3)磁灵敏度KB
(4)输入电阻Ri、输出电阻R。
(5)不等位电势Uo和不等位电阻Ro
(6)寄生直流电势UOD
(7)霍尔电势温度系数α
(8)工作温度范围

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(1)不等位电势的补偿
不等位电势的大小和极性与控制电流的大小和方向有关
不等位电势的大小和相位随交流控制电流而变
不等位电势与控制电流之间并非线性关系,而且U0还随温度而变
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常用的不等位电势的补偿电路