第9章大规模集成电路.ppt

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(PLD)
类型
阵列
输出方式
与
或
PROM
固定
可编程
TS,OC
PLA
可编程
可编程
S,OC,寄存器
PLA
可编程
固定
S,OC,寄存器
GAL
可编程
固定
可由用户定义
四种SPLD器件结构特点
SPLD采用的逻辑符号
与门的三种简化表示法
阵列图

(实现组合逻辑电路)。
用PROM实现组合逻辑函数的主要不足之处是芯片面积的利用率不高,其原因是PROM的与阵列是全译码器,它产生了全部最小项。事实上,大多数组合函数并不需要所有的最小项。为提高芯片面积利用率,又开发了一种与阵列也可编程的PLD-PLA。


典型的PLA阵列图(6×3)


任何组合函数均可采用组合型PLA实现。为减小PLA的容量,需对表达式进行逻辑化简。
-2要求的四位二进制码到Gray码的变换器。
(1)为尽可能的减小PLA的容量,应先化简多输出函数,并获得最简表达式.
(2)选择PLA芯片实现变换器。
(PAL)
PAL与其他PLD器件一样包含一个与阵列和一个或阵列,主要特征是与阵列可编程,而或阵列固定不变。
PAL器件制造工艺有TTL、CMOS和ECL三种。TTLPAL速度高,在这三者中使用较广;CMOSPAL功耗低;ECLPAL速度特别高,能满足特殊需要。
(GAL)
作为可编程器件的GAL,它在基本阵列结构上沿袭了PAL的与、或结构,由可编程与阵列驱动可编程或阵列。与PAL相比,GAL的输出部分配置了输出逻辑宏单元OLMC(OutputLogicMacroCell),对OLMC进行组态,得到不同的输出结构,使得这类器件比输出部分相对固定的PAL芯片更为灵活。GAL的OLMC,可由设计者组态为五种结构:专用组合输出、专用输入、、。因此,同一GAL芯片,既可实现组合逻辑电路,也可实现时序逻辑电路,为逻辑设计提供了方便。
(RAM)
—SRAM的结构
静态随机存储器—SRAM主要由存储体和外围电路构成。
静态RAM的基本结构框图