第二章CMOSIC工艺.ppt

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第二章CMOSIC工艺
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Dual-WellTrench-IsolatedCMOSProcess
现代CMOS工艺
VDD
GND
NMOS(2/.24=8/1)
PMOS(4/.24=16/1)
metal2
metal1
polysilicon
In
Out
metal1-polyvia
metal2-metal1via
metal1-diffvia
pfet
nfet
pdif
ndif
浅沟槽隔离,
双阱工艺,
非均匀沟道掺杂,
n+/p+两种硅栅,
极浅的源、漏延伸区,
硅化物自对准栅-源-漏结构,
多层铜互连
CMOS中的双层多晶硅电容capacitor
CMOS中的电阻Resistor
100nmCMOS
100nmCMOS结构
传统器件结构
关键减小短沟效应、减少寄生效应,提高器件性能
浅结隔离STI
Shallowtrenchisolation
替代
局部场氧化LOCOS
Localizedoxidationisolation
100nmCMOS器件的主要参数
栅结构
问题:
超薄栅介质的质量与可靠性
多晶硅栅电极的电阻率
双掺杂多晶硅栅中的硼扩散
多晶硅耗尽效应
采用氮化的SiO2
提高可靠性
抑制硼扩散
采用多晶硅/硅化物复合结构
降低多晶硅栅电极的电阻率
沟道掺杂
作用:减少短沟效应
提高寄生效应,降低寄生参数