TTL电路半导体集成电路共14章.ppt

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主要内容
TTL逻辑门


TTL电路半导体集成电路共14章
2022/12/5
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VBE
VBC
饱和区
反向工作区
截止区
正向工作区
(正偏)
(反偏)
(正偏)
(反偏)
C
B
E
npn
正向工作区
IB
IC
IE
IE=IB+IC
反向工作区
IB
IC
IE
IC=IB+IE
饱和工作区
C
B
E
VCES
截止区
C
B
E
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简易TTL与非门
与非门
A
B
C
R1
R2
VCC
VO
B1
B2
T1
T2
A
B
C
O
0
0
0
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
0
两管单元TTL与非门
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简易TTL与非门
A
B
C
R1
R2
VCC
VO
B1
B2
T1
T2
两管单元TTL与非门工作原理
R1
R2
VCC
B1
A
B
C
4K
4K
4K
4K
几个假设:
,当晶体管正向工作时,取VbeF,而当晶体管饱和时,
取VbeS=.
,取VbcF。
,当T1管深饱和时,因Ic几乎为零,取VceS=,其余管子取
VceS=
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简易TTL与非门

R1
R2
VCC
B1
A
B
C
1V
VOL=
VOL
VB1=VBE1+VOL
=1V
VB1被嵌位在1V
IB1=(VCC-1V)/R1
=5V-1V/4K=1mA
4K
4K
IC1
B2
T2管截止,
VOH=VCC-IOHR2
输出高电平时电路供给负载门的电流
IOH
T2管的集电结反偏,Ic1很小,
满足βIB1>Ic1,T1管深饱和,
VOCS1,VB2
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简易TTL与非门

R1
R2
VCC
B1
A
B
C
VOH=5V
VB1=VBC1+VBE2
VB1被嵌位在
4K
4K
IC1
B2
VOH=5V
T1管的发射结反偏,集电结正偏,工作在反向有源区,集电极电流是流出的,T2管的基极电流为:IB2=-IC1=IB1+bIB1≈IB1(b<)
IB1=(VCC-VB1)/R1
∴IB2≈mA
T2管饱和,T2管的饱和电压VCES=
∴VOL
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A
B
C
R1
R2
VCC
VO
B1
B2
T1
T2
T1管工作在反向放大区
假设:ßF=20,ßR
IB1=(VCC-VB1)/R1
-IE1=ßRIB1
-IC1=(ßR+1)IB1==IB2
假设T2管工作在正向放大区
在R2上产生的压降为18mA*4K=72V
4K
4K
不成立
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两管单元TTL与非门的静态特性
电压传输特性
VO(V)
VOH
VOL
Q1
Vi(V)
Q2
Q1,Q2
截止区
过渡区
导通区
VOH:输出电平为逻辑”1”时的最大输出电压
VOL:输出电平为逻辑”0”时的最小输出电压
VIL:仍能维持输出为逻辑”1”的最大输入电压
VIH:仍能维持输出为逻辑”0”的最小输入电压
VIL
VIH
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噪声抑制与噪声容限
VOH
VOL
VIL
VOH
VIH
VOL
噪声
最大允许
电压
噪声
最小允许
电压
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